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161.
石国荣 《组合机床与自动化加工技术》2004,(6):82-84,86
为了提供设计时评定主轴刚度和给定优化设计的刚度目标,文章采用有限元法对国产8种卧式多轴自动车床和国外5种同类型机床主轴计算,得到计算的主轴静刚度数据.从标准资料整机刚度的要求推算出一系列主轴静刚度数据,然后考虑到不同规格机床结构上的因素,将上述两组数据合并处理,以回归方式得到一个可供参考的参数方程. 相似文献
162.
通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60. 相似文献
163.
164.
165.
稀土纳米磁致冷复合材料 总被引:7,自引:0,他引:7
采用急冷快淬,高能球磨及粉末包套包覆轧制方法制备出Gd-Y,Gd-Zn和Gd-Th的纳米固体复合磁致冷材料。实验测试结果表明:与大块状材料相比,纳米固体的居里温度明显降低,比热显著增加:Gd-Th和Gd-Zn合金的磁热熵效应有所降低,但Gd-Y系的磁热熵效应则显著增加。对制备工艺条件及若干影响磁质变熵效应的因素进行了较详细的分析。 相似文献
166.
薄膜厚度对HfO2薄膜残余应力的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加而减小,当薄膜厚度达到一定值后,应力值趋于稳定。从微观结构变化对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素。 相似文献
167.
通过对HfO2膜料中杂质元素的分析,找出了影响薄膜性能的主要杂质元素。结果表明:金属元素、吸收性介质元素的存在对薄膜的损毁有很大负面影响;在紫外波段,Zr元素含量大的薄膜吸收较大;并且提出负离子元素在膜料蒸发过程中形成气源中心,产生喷溅,从而使薄膜的损伤阈值降低。 相似文献
168.
通过对鸡西县节水增粮行动工程建设方案的设计,利用卷盘式喷灌系统,更好的节约了灌溉用水,提高用水效率。按照不同地区的干旱程度、水土资源条件、发展高效节水灌溉建设和管理经验、作物种植情况、当地政府积极性及受益农户对高效节水灌溉工程的需求程度,确定本年度发展高效节水灌溉的工程布局。 相似文献
169.
170.
孙国荣 《网络安全技术与应用》2015,(1):82+84
信息技术与网络技术的快速发展,促进了计算机在日常生活中的应用效率,对提高生活与工作质量有着至关重要的作用。但是因为计算机为密集性高精度电子设备,对使用环境以及操作行为都有着严格的要求,很容易受到外界因素的影响而出现故障。计算机硬件故障会影响运行稳定性,或者出现死机,必须要结合故障表现形式,采取相应的措施进行处理。本文分析了计算机硬件常见故障,并提出了相应的解决措施。 相似文献