磁性阳离子交换树脂对食品稀糖液中Ca^2＋,Mg^2＋脱除效能的 …

在研究了３种大孔型阳离子交换树脂脱除食品稀糖液中Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋效能的基础上,对稀糖液中Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋除去效果最好,交换能力最大的Ａｍｂｅｒｌｉｔｅ２５２树脂采用化学转化法进行磁化处理。比较磁化前后的阳离子交换树脂对食品稀糖液中Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋的除去效果,结果表明,磁化过程并不影响树脂的交换容量。     

羊毛分散染料助剂增溶染色的研究

创新性地提出羊毛分散染料助剂增溶染色的理论和工艺,对分散染 吸收光谱及其溶解进行测定和研究。在自制新型助剂ＨＭ的作用下,分散染料可上染羊毛。文章探讨了温度,ｐＨ值,浴比,电解质及助剂的浓度等对上染百分率,上染速率及匀染,透染程度的影响。本工艺具有流程简单,湿牢度好,染料利用率高,色泽鲜艳及匀染性好等特点,有很大的理论研究和实际应用价值。     

光散射对Z-扫描的影响

以光折变晶体KNSBN为研究对象，从理论和实验上仔细研究了标准的Z轴扫描技术，发现材料导致的光散射对测量结果有影响。因此把Z-扫描技术应用于光散射比较强的材料时，在进行Z-扫描测量时需排除光散射的影响。     

一种用于半并行A/D转换器的比较器设计

简要介绍了半并行结构的A/D转换器原理。针对该结构的A/D转换器,提出了一种能自动校零、迟滞、全差分输入及多级前置放大的比较器。解决了输入失调电压、噪声环境下单转换、电荷注入、带宽、转换速度等问题。给出了应用该比较器的0.6μm CMOS半并行A/D转换器的性能。结果表明,设计的比较器能使丰并行ADC的DNL和INL小于±0.5 LSB,SNR大于48dB。     

ＳＴＭ３２控制的ＰＷＭ调光驱动电源设计

调光技术在照明行业非常重要,保证调光过程平稳并在100%范围内调光是当前研究的热点。提出一种有源功率因数校正(APFC)且具有恒流稳压功能的PWM调光驱动电源,对功率因数校正电路,恒流限压电路和调光电路进行详细设计分析。针对单一调光芯片控制电路存在输出不稳,无法实现全范围调光的问题,采用STM32单片机和调光控制芯片HV9910相结合进行控制。最后制作样机并进行测试分析,该调光电源输出电流精度控制在2%以内,功率因数在0.93以上,在额定输入电压下效率达到85%以上,在0～100%范围内调光且调光过程平滑无闪烁。     

Visibility的航空遥感相机自动焦面检测方法

为了解决航空遥感相机自动焦面检测的问题,提出了一种利用空间滤波测速（SFV）原理进行航空遥感相机自动焦面检测的方法。首先,在焦面检测过程中,采集线阵CCD输出图像的Visibility值,利用SFV信号的Visibility值与离焦量之间的关系,通过搜寻SFV信号Visibility最大值找出最佳的成像焦面位置;其次,对空间滤波测速原理及Visibility与离焦量的关系进行了介绍;最后,对设计的实验装置在5~53.2 mm/s的典型像移速度下进行了20次焦面检测,结果表明最大测量误差均方值为46.25m,小于航空遥感相机光学系统的检焦误差宽容度（76.8m）,能够满足航空遥感相机的自动焦面检测精度要求。     

SOINMOSFET的双峰及辐射效应研究

通过对SOINMOFET的总剂量辐照试验,对器件辐照中的双峰效应进行研究。文中给出了双峰效应的表征。试验结果表明双峰的形状随辐照总剂量的增加而改变,并分析了具体的原因。另外,背栅晶体管对主要晶体管的耦合效应要远远大于其对寄生晶体管的作用。     

两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性

研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示 ,虽然对单管特性而言 ,干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力 ,但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性 ,因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明 ,适当的界面态的引入 ,有利于增加负载电流镜的饱和工作范围 ,从而降低电路的辐射敏感性。     

电离总剂量辐射加固SRAM设计

在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命.针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度.加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求.这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM.