理光XF-30(D)型照相机电路原理与故障检修

<正> 理光(RICOH)XF-30/30D是一种面世较早、用户较广的照相机。它功能齐全、造型精巧,很受广大用户欢迎。该机内藏闪光灯,可自动弹起,具有电子自拍、自动卷片/倒卷、自动曝光等功能。随着电子技术的发展,又面市了几种新形式的理光30型照相机,主要的型号有理光XF-30 SUPER DATE型相机、理光AF-30D型相机、理光FF-30D型相机等。虽然它们在式样上与早期30型有些相似,但它们的功能和电路组成却不尽相同。早期理光XF-30D型照相机电路原理如图1所示。     

一种BiCMOS过温保护电路

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0．6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。     

内嵌RAM的液晶显示控制驱动器

讨论一种液晶控制驱动器的设计及使用方法。根据设计要求，阐述了每个分模块的设计思想与设计方法，并进行了数模混合仿真。     

RFID中嵌入式EEPROM的超低功耗设计

基于SMIC 0．35μm嵌入式EEPROM工艺实现了一款256byte的超低功耗EEPROMIP核。典型情况下．读电流为40μA，页编程电流为250μA，特别适合RFID（Radio Frequency Identiffcation）标签芯片的应用。针对芯片中各种功耗的来源进行了详细的分析，并给出了相应的实现方法。     

Microstructure evolution and corrosion resistance in simulated CGHAZ of X80 high-deformability pipeline steel

In this study, the microstructure evolution and corrosion resistance in 0.5M Na₂CO₃-1 M NaHCO₃ solution of X80 high-deformability (X80HD) pipeline steel coarse-grained heat-affected zone (CGHAZ) with several heat input levels were investigated. It is shown that the microstructure of CGHAZ changes from bainite ferrite to granular bainite as the heat input increasing. In addition, the corrosion resistance and the stability of passive film of base material are better than those of CGHAZ with several heat input levels. Too small or too big heat input is inadvisable and better corrosion resistance of CGHAZ is attained when heat input is 30kJ/cm.     

磨料水射流切割煤岩的机理研究

从建立单个质点的冲击模型及冲击力分布出发，结合煤岩的脆性，分析研究了磨料水射流切割煤岩的机理，提高切割效果的基本方法。     

木瓜蛋白酶嫩化鹅胸肉的工艺优化

为改善鹅肉品质,该研究采用木瓜蛋白酶嫩化技术旨在分析不同处理条件对鹅肉的影响。在单因素试验的基础上,采用响应面分析进行四因素三水平工艺优化试验。分别以酶的质量分数（A）、温度（B）、pH值（C）、时间（D）四个因素作为自变量,以感官特征作为响应面指标,通过回归分析确定了获得最佳感官的加工条件为酶的质量分数0.076%,温度60 ℃,pH值7.6,时间55 min。此条件下的感官评价可以达到82.5分,于鹅肉处理前（59.7）有显著提高,剪切力为26.47 N,相比于嫩化前下降了38.83%,整体品质有明显的改善。实际感官品质结果与模型值接近,说明该模型具有良好的预测效果。为建立酶法嫩化技术提供了一定的数据和理论基础。     

基于海空背景的红外图像处理算法研究

针对某研究项目的设计要求和设备应用环境特点,对海空背景下红外弱小目标提取和空间位置解算方法进行了探讨.从项目研究的实际出发,兼顾红外弱小目标提取和位置解算的快速实现,提出了海空背景下红外图像处理的理论方法.     

FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线

本文首次利用时域有限差分(FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线的电特性.文中提出了有耗吸收边界条件,推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式.在FDTD分析的基础上,得到传输线各种参数的频变特性,为芯片内电路模拟提供了可靠的参数.