大功率分布反馈半导体激光器研究进展北大核心

介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理,分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况,从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外延DFB-LD对光栅和有效光场耦合较好,但二次外延对技术控制精度要求极高且会引入缺陷;表面金属光栅边发射DFl3-LD避免了二次外延,但制作金属光栅时会出现欧姆接触电阻大和阈值特性劣化等问题;大功率表面光栅面发射DFB-LD虽然在获得高功率高质量光束方面有很大优势,且避免了二次外延,但存在光栅的表面耦合系数较低等技术难题。最后总结分析大功率DFB-LD技术发展趋势,对其广阔的应用前景进行展望。     

鞍钢热轧带钢厂智慧制造发展研究

通过分析国内外钢厂智慧制造发展情况,并结合鞍钢股份有限公司热轧带钢厂信息化现状,贯彻落实公司两化融合顶层设计及发展规划,制定热轧带钢厂智慧制造发展方向。从生产、质量管控智能化,设备智能管控与分析预警,高效率智能装备,智能安全,自动化轧钢、集控等方面,实现无人化、少人化,操检合一、集中管控,提质增效、安全节能,自动化轧钢程度提升,设备状态监控。打造智能化、高效率、低成本的绿色热轧产线。     

简讯数则

△为了及时总结收割机刀片攻关成果,湖北省机械工业局于去年十二月二十一日至二十二日在黄陂县召开了该项课题的成果鉴会。△为了适应我省棉区对棉、麦播种、中耕、追肥机械化的要     

娘子关供水水泵转动惯量与管道受压间关系研究

管路阀门突然开启或关闭、管路水泵突然停止、骤然启闭导叶后,水流流速、压强发生突然大幅度波动,水流对阀门及管壁产生较为明显的冲击压力,严重的甚至会导致管路爆管事故。采用增加供水泵机组转动惯量后,管道内的水流对阀门及管壁产生的冲击压力会降低,即使是较小的转动惯量增幅,管道降低正负压最大值降低也较显著。     

“背上摇篮”苗族背带文化对婴童产品设计的启示

通过研究苗族背带的历史文化、绣片内容、审美价值,来探索苗族背带文化对婴童产品设计的启示及设计原则。调查研究苗族背带的历史渊源、文化习俗,从工艺、纹样、色彩、构图方面探讨背带绣片的艺术价值;从政策倾向与市场需求方面分析婴童产品设计与背带文化之间的联系;从设计的角度,探索背带文化对婴童产品纹样、造型、色彩的设计启示;通过综合分析总结出基于背带文化的婴童产品创新设计的原则。研究发现苗族背带的艺术形式从图案、造型、色彩为婴童产品设计提供了良好的设计思路,是设计创新的源泉。     

高效本征薄层异质结(HIT)太阳电池技术研究进展

高效本征薄层异质结(HIT)是由本征钝化层沉积在a-Si/c-Si界面处组成,这种硅异质结(SHJ)结构由于钝化性能好,实际效率值往往比同质结电池更高。本文首先介绍了HIT高效电池发展现状、电池基本结构的特点,然后从制备工艺、钝化原理、能带带阶等几个方面对衬底层、非晶硅层(本征/掺杂)、TCO薄膜以及金属格栅电极展开讨论,并对未来高效HIT电池的工业化发展趋势做了展望。     

整体式卡瓦齿槽结构优化

为提高可溶桥塞中整体式卡瓦的承载能力,对卡瓦齿槽结构进行了优化。首先,开展整体式卡瓦承载能力实验并分析卡瓦失效的原因。然后,应用有限元法建立了整体式卡瓦及与之接触部件的六分之一模型和广义接触关系,分析了单一齿槽结构参数对卡瓦锚定效果的影响,并通过正交试验优选出最佳齿槽结构参数：前排齿槽轴心线距离卡瓦前端25 mm,前后排齿槽轴向间距为15 mm,齿槽轴心线夹角为20°,齿槽轴心线倾角为20°,齿槽深度为7 mm。最后,对齿槽结构优化后的整体式卡瓦进行实物加工并开展承载能力实验,结果表明该卡瓦的轴向承载力可达629 kN,能够承受内径为114.3 mm的套管在井下70 MPa压力环境中受到的轴向载荷。仿真和实验结果表明整体式卡瓦齿槽结构参数对卡瓦的承载能力有重要影响,研究结果对镶齿类整体式卡瓦结构设计具有重要参考价值。     

基于阻尼特性鲁棒性的车身NVH性能设计

阻尼片作为控制车辆振动噪声的主要手段之一,其损耗因子和制造厚度的鲁棒性是造成车辆NVH性能波动的主要因素之一。主要对阻尼片进行研究以控制车辆NVH性能的波动,首先,建立阻尼片材料的四因子模型,采用麦夸特法对模型参数进行求解以获取损耗因子的不确定分布特性;采用模态应变能方法确定铺设阻尼片的位置;以阻尼片厚度为设计变量,以材料损耗因子为随机变量,运用组合优化方法遗传算法(GA)和序列二次规划法(SQP)组合进行鲁棒性优化设计,在保证车内声压级水平的条件下降低车辆噪声的波动性。以某MPV车型为算例进行优化设计,优化后单目标函数(SOF)均值为0. 465,标准方差为0. 004 7,可靠性达到99. 8%,比初始设计值提高了近1倍。     

Ce:YAG荧光陶瓷掺杂Gd对白光LED发光性能的影响

Ce: YAG荧光陶瓷具有突出的导热性及化学稳定性, 相比有机硅胶封装法在高功率白光LED的应用上具有更广阔的应用前景。本研究采用真空固相烧结法制备了不同Gd掺杂浓度的(Gd, Y)₃Al₅O₁₂:Ce样品, 通过XRD, SEM及荧光光谱等表征手段, 研究了Gd掺杂对Ce:YAG荧光陶瓷的晶体结构及其用于白光LED时对发光性能的影响。实验表明, 随着Gd掺杂浓度的提高, Gd³⁺取代Y³⁺ 的位置进入晶格, 使得样品的晶格常数增加。Gd³⁺还影响了Ce³⁺对蓝光的吸收, 同时Ce³⁺将蓝光转换成黄光的效率也下降, 导致光效从81.45 lm/W降低至63.70 lm/W。Gd的掺 杂使Ce³⁺的光致发光谱峰位从534 nm向564 nm红移, 显色指数从61.3提升至70.2。Gd的掺杂虽然降低了发光 效率, 但显著提高了(Gd, Y)₃Al₅O₁₂:Ce样品的显色指数, 使得黄色YAG荧光陶瓷应用于白光LED的性能得到了 提高。