一种新的未知信道参数下的次最优分集合并接收机

本文推导了衰落信道中未知信道参数情况下相移键控信号多信道分集合并的最大似然序列估计算法,并在此最优方案的基础上提出了两新的次最优维持比算法,将该算法用于扩系统的ＲＡＫＥ接收机的模拟结果表明,对ＤＱＰＳＫ和编码的ＱＰＳＫ信号的接收民理想接收十分接近。     

毫米波分支线定向耦合器的设计与优化

本文先介绍了分支线正交定向耦合器的概念与工作原理;然后根据该原理在ADS2009软件下设计仿真了工作在Ka波段的微带线定向耦合器,并对Ka波段的耦合器模型进行了改良,使之实际面积缩小的同时能达到原有的性能。     

两种针对小信号的脉压优化算法及实现

结合某雷达项目,针对项目LFM和Taylor编码两种小时宽带宽积(TB)信号脉冲压缩效果不理想的问题,通过对两种不同小TB信号的实际回波波形和特性进行了分析,针对性地使用了倒推法和循环迭代法,获得了优化的脉压系数。试验得出结论,较之传统的匹配滤波脉冲压缩系数,采用优化脉压系数的LFM和Taylor编码小TB信号脉冲压缩主副瓣比均能提高十几dB。     

一体的水利产业财源模式

二、重塑水利产业财源模式 建立水利产业补偿机制,必须遵循社会主义市场经济法则和价值规律,以促进水利产业良性循环为目标,重塑水利财源模式。其基本思路是:经营性水利局企业性质,走企业化道路,实行盈利性经营,按国家有关规定缴纳税费。生产服务性水利属事业性质,从试行按企业管理向企业化过渡,从按成本收费,保本经营向盈利水利过渡。公益性服务水利属纯事业性质,实行预算管理,财政负担。这三种不同性质的水利工程组成的水利产业补偿机制,形成价、费、税、补四位一体的财源模式。     

非晶态Fe_(90-x)V_xZr_(10)合金吸氢现象及磁性变化的研究

利用Mossbauer谱、磁测量技术,X射线衍射以及二次离子质谱分析(SIMS)技术,对三元非晶合金Fe_(90-x)V_xZr_(10)吸氢现象及磁性变化进行了研究.实验结果表明:随充氢时间(相同的充氢电流密度)的增加,非晶态合金同质异能移位增加,表明充氢后Fe核处电子密度发生变化.随充氢量增加,室温下合金由顺磁状态转变为铁磁状态,超精细分布逐渐展宽,其最大值也向高场方向移动.吸氢后合金原子磁矩及Curie温度T_C有大幅度增加.0K时饱和磁化强度从未充氢合金的120emu/g增加到174emu/g.Curie温度T_C从257K增加到384K.吸氢导致磁性变化的机理,利用杂化理论模型能够给出很好的解释.     

关于我国电信运营商投资状况的研究

近年来我国电信运营商的投资一直随着3G技术的日臻完善，3G牌照的发放预测波动，在3G全球化的浪潮中不断地摸索着前行，政府、开发商、运营商甚至个人都积极地投资于这一新兴的朝阳产业。其中，除政府投资外，尤以各大运营商的投资最为引人注目。本文对影响3G投资的主要因素进行了阐述。     

加速度传感器ADXL105的原理及实验研究

ADXL105是ANALOG公司生产的加速度传感器芯片。该芯片除包含一个多晶硅表面微处理传感器外,还内置一个运算放大器,便于对测量信号进行处理,满量程是5g。详细介绍了ADXL105的工作原理、功能、特性,设计了测量探头、滤波电路、减法电路等具体实验电路并进行了相关实验研究,提出了注意事项,并对实验中出现的问题进行了讨论。实验结果表明,ADXL105能够很好地测量静态和动态加速度,响应速度快,性能稳定,适用于机械振动测量等场合。     

灵敏,简易的食盐加碘定性及半定量测定——改良砷铈氧化还原法

灵敏、简易的食盐加碘定性及半定量测定──改良砷铈氧化还原法崔宝印，张效良，薛长勇，李溪雅，林世丹解放军总医院营养科（北京）１００８５３目前，有关检测碘盐的方法虽不少，但在敏感度和简易性方面仍感不够理想。我们经过实验研究，改进了测定微量碘的砷销氧化还原...     

无线局域网应用的接地平面单极天线的设计

提出了一种应用于无线局域网(WLAN)的新型低成本多频段天线,采用斜切角接地的平面单极结构,天线顶部折返成水平面内的两个对称矩形单元来降低高度。同时,通过在垂直辐射单元表面开L形槽的方法,实现了无线局域网高低两个工作频段覆盖的需求。天线在各工作频段内具有良好的全向辐射特性。实测和仿真结果基本吻合,从而验证了这种设计方法的有效性。     

退火工艺对Al离子注入的4H-SiC表面形貌的影响

通过应用多次Al离子注入和CVD中的高温退火技术,在SiC片表面形成了p型层。p型层中各深度下Al的浓度均为110¹⁹cm^-3,层厚为550nm。本文应用三种不同的退火工艺对注入后的SiC进行退火。通过测量和比较表面粗糙度,发现通过石墨层覆盖来保护表面的退火工艺可以很好的阻止SiC表面在高温退火下的粗化,粗糙度保持在3.8nm。通过其他两种(在氩气保护下、在SiC保护片的覆盖下)退火工艺退火所得到的表面有明显的台阶,粗糙度分别为12.2nm和6.6nm。