一种新颖的LDO频率补偿技术

通过对传统LDO频率补偿电路的零点、极点进行分析,提出了一种新颖的频率补偿技术.在原有频率补偿电路的基础上,增加一个电阻和电容以及一个PMOS管,构成新的补偿网络.此补偿网络产生一组零极点,且零点在带宽范围内,极点在带宽范围外.仿真结果显示,输出电流为100 mA时,相位裕度为87°;输出电流为1 μA时,相位裕度为46°.电路设计基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,采用Hspice进行仿真,电路工作电压为1.8 V.     

一种启动电流为0的CMOS低功耗低成本电流源

根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24．9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC0．18μm CMOS工艺,电源电压1．8V,仿真软件为Hspice。     

基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件

采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8～5V,将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5～-4.4V,与通常的CuTCNQ器件相比较小.这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器.     

一种高dB-线性宽动态范围CMOS可变增益放大器

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高dB-线性宽动态范围的CMOS可变增益放大器.拽数电路通过伪Taylor200 MHz构dB-可变增益单元采用可变跨导、可变负载结构.Hspice仿真结果显示,3-dB带宽为200 MHz,在dB-线性内,输出电压的增益动态范围达40 dB,误差在±0.5dB之内...     

CMOS电压模式伪指数功能电路

根据函数(1 x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.     

关于进入工业火焰的煤粉颗粒温升速率的探讨

从传热角度对煤粉微粒进入高温环境的温度变化进行了初探,对沉降试验炉和煤粉炉内的煤颗粒与环境的换热及有关试验进行对照比较,其结果表明热传导是微粒与外界换热的主要形式。针对流化床锅炉的特点及大小不同的煤颗粒的温升速率进行了探讨。     

钙吸气剂

自显像管发明以来，一直使用铋作为吸气剂，但是，钡有污染环境、钡膜在高能电子轰击下会产生X射线等缺点，所以吸气剂研制者们一直在潜心研究取代钡吸气剂的材料。本文介绍了一种可以与B副诚-Ni吸气剂吸气能力相当的CaAl2-i吸气剂。这种吸气剂对环境污染影响小，不会产生有害的X射线，所以业界内期待着将它开发成实用的品种。     

具有光电偏转器的CRT

在ＣＲＴ内，沿阴极与屏间的电子束路径，存在着一个偏转系统。该系统至少有一个静电光电偏转器，它有一个对入射光辐射有响应的光电探测器。该探测器对光电偏转器产生电偏转场调节的电荷。光电偏转器具有两或三个电极，以便能够使产生与电荷在或不在同一空间。光电探测器可以是一个光电阴极或光电二极管。     

异向生长晶粒增韧氧化铝陶瓷的研究进展

综述了Al2O3异向生长晶粒微观结构的特征，详细论述了不同添加剂、不同晶种及引入方式对Al2O3晶粒异向生长、显微结构及其力学性能的影响，分析了不同条件下Al2O3晶粒的异向生长机理，阐述了异向生长晶粒增韧Al2O3陶瓷的机制．     

Ti（CN）－Al_2O_3复合陶瓷与金属摩擦副的摩擦学特性研究

本文对水及油润滑条件下Ｔｉ（ＣＮ）－Ａｌ２Ｏ３复合陶瓷与纯铝、纯铁及不锈钢三种金属的摩擦、磨损特性进行了研究．在两种条件下，随着载荷及速度的增加，三种摩擦副的磨损量均明显增大．但两种润滑条件下的变化趋势稍有差别，水润滑时摩擦副的磨损量比油润滑时的大．与干摩擦时的试验结果相比，水或油的存在不仅没起到减磨作用，反而使磨损加剧．能谱分析结果表明，两种润滑情况下，金属与陶瓷间均有材料的转移或扩散发生，但水润滑时摩擦副材料间相互转移的量比油润滑时更大．