Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究

本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初始As的析出是造成界面突发反应的一个重要因素.实验结果表明:随着覆盖度θ的增大,Cr2p结合能不断趋向纯金属的结合能,即向较高的结合能方向移动;同时峰形愈来愈对称,即拖尾效应减弱,这与Cr/Si界面Cr的变化规律极其相似,而与通常的过渡金属(TM)在TM/Si界面及 TM/GaAs界面的变化规律不同,显示出Cr特有的变化规律.随着退火温度的升高,Cr/CaAs界面的反应加剧;由于 Cr的内扩散加强,在界面处形成 CrAs,阻挡了As的外扩散,而界面余留的Ga原子随着温度升高外扩散有所增强.     

安置点群众给援建队“送清凉”

本刊四川讯 连日来,四川持续高温的天气,援建队员的生活起居是当地老百姓牵挂的。日前,四川绵竹市孝德镇、罗江县等地干部群众带上猪肉、鸡肉、大米、矿泉水、绿茶等食品、以及各种降暑用品慰问了中铁十八局集团援建施工人员,他们说：“你们给我们建设新家园,我们送点清凉是应该的!”中华全国总工会对中铁十八局集团的援建工作给予了充分肯定,授予其“工人先锋号”称号。     

掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .     

掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

采用等离子化学气相淀积方法,改变ＳｉＨ４和Ｈ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ,薄膜,用离子注入方法掺入铒,经３００－９３５℃快速热退火,在波长１．５４μｍ处观察到很强的室温光致发光。氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系,不是单调地随氧含量的增加而增强,研究了掺铒ａ－Ｓｉ：Ｈ,Ｏ薄膜和微结构,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系。     

桩基础局部软夹层的测试与处理

桩基础是松软地基上高层建筑的重要基础形式 ,若桩基础下出现软夹层 ,例如 :软夹层被压实或被梨状体“穿越”了的性态 ;滑动惯性“过位移” ;以及“过载”现象等 ,应在试桩和分析研究的基础上提出最佳的处理方案。１工程概况拟建建筑物为１２层剪力墙结构 ,地下一层 ,基础采用桩基础。桩端持力层为卵石层③。原设计桩长９．０ｍ ,采用机械钻孔人工扩底 ,单桩允许承载力设计值为１７００ｋＮ ,桩穿越砂质粉土②２层和新近沉积层②３。后因故将设计桩长改为６．８ｍ ,则有些桩便卧于粘质粉土层③１上 ,给工程带来巨大隐患。由于②２和③１ 层…     

Co—Si多层膜的透射电镜研究

本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。     

In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。