碲镉汞阳极氧化膜界面的研究

用X射线光电子能谱方法研究了Hg_0.8CD_0.2Te样品的厚度为35、50、55、和65nm的阳极氧化膜。结果表明阳极氧化膜的成分中:0为58～60%,Te为22～26%,Cd为10～13%,Hg为3～4%。在氧化膜与基体界面半导体一侧存在缺汞区,比正常值少14～34%。     

利用快速热退火在n—GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触

利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触，研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００－５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为－１０＾－６Ω．ｃｍ＾２，接触层的表面光滑、界面平整，利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理。     

CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制

利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．     

第二届全国半导体物理学术会议简讯

<正> 第二届全国半导体物理学术会议于1979年11月8日至14日在安徽省合肥市召开.出席这次会议的有领导机关、研究单位、高等院校、情报出版、工厂等74个单位的135名代表.11月8 日上午,由中国物理学会常务理事、中国科学院半导体所所长黄昆主持开幕式.安徽省委第一书记万里,     

磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究

<正> 利用φ550型AES和ESCA与离子溅射相结合方法,研究了n型InP(100)晶面,浓度 10~(16)cm~(-3),迁移率约 2500cm~2/V·s的单晶片上低温淀积SiO_2热氧化膜和阳极氧化膜与本体InP界面区的光电子能谱随深度的变化,及其各种氧化物和俄歇信号的深度分布.在深度分析中Ar作溅射气体,离子枪工作电压为2keV,离子流密度为8μA,电子束电压为3keV,其束流为5μA.同时用椭圆偏振光测厚仪,测定了两种氧化膜的厚度和折射率及介电常数,并且还测定了它们的击穿电压,其结果列于表1.     

俄歇电子能谱定量分析的进展

本文扼要地评述了俄歇电子能谱定量分析的最新进展及其存在问题。首先评述了第一原理模型的俄歇电子能谱的物理基础,并分别对其中各种参数进行估算。同时,对以下专题进行了讨论。 1.利用俄歇电子能谱进行表面定量分析的方法;样品均匀性;强度的确定;带电效应;束流对样品的损伤。 2.对限制深度分布定量计算的各种现象进行了讨论。例如,溅射速率;表面原生粗糙度和束流引起的粗糙度;撞击和原子混合效应;择优溅射;离子束激发的俄歇电子能谱等。对于这些现象对深度分辨率的影响及其对溅射深度的依赖关系进行了讨论。     

氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究

本文用φ550 AES和 ESCA能谱仪与离子溅射相结合方法,研究阳极和SiO_2氧化膜与n型<100>晶向InGaAsP界面区的组分和各种氧化物的剖面分布.测量了氧化膜的参数.实验结果表明:采用合适的化学腐蚀和阳极氧化条件,可获得绝缘性较好及界面晶体缺陷和界面态密度较少的氧化膜.但在未经化学腐蚀的样品中组分及各种氧化物的深度分布是不均匀的,井可分为四个层.还给出不同层中 GaLMM,As3d,In3d和 P2p的结合能值,其中Ⅲ 族元素的母体效应比较显著.同样也可得到InGaAsP上SiO_2氧化膜的绝大部分区域是纯SiO_2,而化学腐蚀只能减少过渡区宽度和增大界面陡度,但在过渡区内仍存在Ga_2O_3,In_2O_3 和P_2O_3.