血液静电泵的碟型阀门设计

以碟型阀门为对象,利用阀门流量与碟阀开角的相对指数关系,基于流体力学关于流量与压力差、阀门管道面积、流量系数间的关系,在压力差、阀门管道面积不变的条件下,建立了流量系数与开角的指数关系。从而得到阀门实际流量与碟阀开角、压力差、阀门管道面积的具体数值关系,以设计岀碟型阀套的合适的最小半径。将血液静电泵的设计原则应用于碟型阀门设计,选用不同的流量系数计算并绘制出不同阀门半径、碟阀开角与压力差的关系图。如何选择合理的阀门半径是本文研究目的所在,以保证阀门打开时,血流畅通无阻。再由碟阀半径、开角、流速,计算了雷诺系数并核对了所选流量系数;还研究了因阀门的快启导致血流施加于碟阀上的冲击力,进行了碟阀及其把柄的强度核验。     

基于ICP工艺的垂直微小硅镜的加工

利用自感应耦合等离子(ICP)蚀刻机进行硅深层反应离子刻蚀,得到了几微米宽的狭槽,其轮廓通常为正锥形,即蚀刻槽的宽度随着蚀刻深度的增大而减小.然而,对一个宽槽来说,由于等离子区内边界层的变形,其蚀刻宽度会随着蚀刻深度的增加而增加.在许多应用中,硅蚀刻轮廓侧面的垂直状况是一个关键性问题.叙述了分离式垂直镜的加工过程;研究了影响蚀刻轮廓的各种重要参数.经过引入多步制法与优化激励源、基底偏压源及加工压力,减小了等离子区边界层内的变形,改善了轮廓的蚀刻状况.得到的结果为:120μm高垂直微镜垂直度为89.7°,200μm高垂直微镜垂直度为89.3°.     

除臭剂

日本发明一种以酸性磷酸盐作为有效成分,吸附在无机载体上经成型而制得的固体除臭剂,对氨、有机胺等恶臭气体具有优异的的避臭功能。并获得了专利权。以往的药剂洗涤中,一般是使液体和气体反应而起作用。但是由于作业费高,并需一定的设备费,故对稀薄气体的脱臭不适宜。而且,更换药液等操作麻烦;废液处理也存在着问题。目前,活性碳已用作广泛使用的吸附除臭剂,但对氨等低分子量的臭气脱臭效果不显著。此外,沸石对氨气的脱臭虽有效,但单独使用时其效果也不大。     

来自梦工厂的伊藤赖子

以手绘技巧为武器在美国好莱坞活跃的日本人很少出画册的则更是少之又少。我们今天介绍的伊藤赖于小姐通过自费留学学习美术，经过多年的努力后，终于实现了自己美丽的美国之梦。     

契岛冶炼厂炼铅近况

一、绪言由于日元急剧升值,受到冲击的有色冶炼产业似乎被击得体无完肤。QSL法、基夫赛特法、奥托昆普法、卡尔多法、艾萨法等新的炼铅方法均以节能、省力、无公害令人刮目相待而被大量介绍。预计     

以磨碎焦粉为原料试制高强度硬质炭素材料

试体是用磨碎的生石油焦粉,不加任何粘结材料而压制的。生石油焦粉的磨碎时间为15分钟～44小时不等。磨碎后,在2000公斤/厘米~2压力下,将其压成直径为20毫米的圆柱体。再将已压型的试样先置于1000℃下,然后在最终温度为2700℃或2800℃下进行热处理。对这样制得的试体的某些性质与磨碎时间的关系进行了研究。假比重从磨碎15分钟的1.55克/厘米~3增加到磨碎44小时的1.90克/厘米~3,而孔隙率也从23％下降到5％左右。试体的肖氏硬度、抗压强度和层间距d_(002)均随着磨碎时间的加长而增大。用磨碎44小时后的焦粉制得的试体肖氏硬度为100左右,抗压强度为1500公斤/厘米~2,层间距d_(002)为3.39A。     

印制电路技术的新方向(2)

多层印制板的合理化技术以敷铜箔层压板和半固化片为原材料,将孔金属化技术、叠压和打孔技术巧妙地配合起来的多层印制板制造方法,今后在高密度组装用的印制板中将保持主要地位,这一点看来是不会有什么问题的了。但是,如上篇所述,多层板无论是在工程上还是设计上都相当复杂,即便能极有限地使用 CAD(计算机辅助设计)     

电子束退火技术

在由离子注入的杂质掺杂,电极金属材料的烧结等半导体器件制作工艺中,退火是其重要的工艺之一。在半导体工艺技术的研究中,进行了大量的技术革新,并发展了许多新技术,这对现代的电子学发展作出了重大的贡献。就拿退火技术来说,自半导体器件出现以来一直是采用在电炉内加热的办法,与其它的工艺技术一样并没有发生巨大的变化。但是,最近以来,退火工艺中也开始试图引入一种新的     

深海潜水船耐压壳体的热弯曲加工与热处理方法的研究

<正> 一、諸言为了充分发挥深海潜水调查船的机能,一般采用自航式。自航式潜水船的深度越大,确保必要的净载能力就越成为技术上的关键。因此,形状上多采用重量/排水量(W/D)比有利的单球壳体结构,材料上多选用比强度(强度/比重)大,耐蚀性及韧性亦能满足要求的材料。依据上述观点,6000米深海潜水船的耐压壳体为单球壳结构,结构材料为屈服强度120     

高集成度大规模集成电路掩模的制作技术

随着半导体集成度的提高、芯片尺寸的增大,掩模的质量成了影响片子成品率的最重要因素之一。大量生产高质量的掩模技术,对半导体工业是不可缺少的,也可以说是决定集成度界限的技术。尺寸为5毫米见方的芯片,集成度在1500门以上的LSI掩模的设计,要求是图形尺寸为5微米,图形重合精度、尺寸精度为±0.5微米。掩模制造系统分设备、材料、工艺三大部分。近几年来,由于设备显著改进,工艺几乎都自动化,基本上满足了上