喷气织机托布杆的改进方法

正托布杆作为喷气织机边撑装置的重要组成部分,与托布板共同支撑起织口,保证织口的稳定和连续织造。常规喷气织机的托布杆由托布杆座固定,根据钢筘前心位置调节其前后高低位置,如图1(a)所示。     

激光加工中硅片晶圆的自动对准切割研究

针对激光加工设备在硅片晶圆切割过程中的效率提高问题以及客户需求, 通过图像识别功能,研究并设计实现硅片晶圆的自动旋转校位与自动切割功能,提高了晶圆的切割效率,提升设备的自动化程度.     

角接触球轴承流固耦合仿真分析

角接触球轴承在运行过程中的润滑状况至关重要,润滑油直接影响滚动轴承的接触状态。为分析角接触球轴承的润滑状况以及考虑润滑时轴承的机械特性,基于有限元和晶格玻尔兹曼方法,建立了双向流固耦合轴承仿真模型,对角接触球轴承进行动力学有限元仿真和润滑流体仿真,并与轴承拟静力学理论计算结果进行对比,验证模型的准确性。分析结果表明,保持架与滚珠接触并撞击,在轴承腔内油膜压力最大,滚珠与内圈、外圈滚道接触区分别为第二、第三大油膜压力区。润滑油受滚珠公转影响,沿着滚珠转动方向流动,实现对滚珠与内圈、外圈和保持架之间的润滑。滚珠运动和最大接触应力仿真结果与轴承拟静力学理论求解结果一致,即流固耦合仿真模型计算轴承机械特性具有较高的准确性。     

低温下生物增效技术对去除氨氮效果的改善

在冬季水温低的情况下,为改善对氨氮的去除效果而实施了生物增效试验,连续30d向某污水处理厂的曝气池投加硝化菌,研究了投加菌剂后对氨氮的去除效果.投加菌剂10 d后,在水温为12.4 ～ 15.2℃时,二沉池出水氨氮浓度＜15 mg/L,对氨氮的去除率由68.6％提高至84.7％,处理水量由6.2×104 m3/d提升至7.5×104 m3/d.菌剂投加期结束后的30 d内,在维持高处理水量的前提下,出水氨氮＜7 mg/L,去除率＞91％,处理水量超过设计水量约25％.同时,该技术的费用较低,直接菌剂成本仅为0.067元/m3.     

新型涡喷七消防车的技术创新

回顾了涡喷消防车技术升级的历程,总结归纳了现有涡喷消防车普遍存在的主要问题,对一种新型涡喷消防车的技术创新进行了分析,阐述了该车辆的性能突破和火场实用性。     

明珠湾起步区绿色建筑星级规划方法研究

南沙新区作为国家级新区,全面落实绿色生态理念,规模化发展绿色建筑是其未来发展的必由之路。通过七大影响因素叠加分析法确定明珠湾起步区地块星级,并详细阐述了明珠湾起步区的绿色建筑星级规范方法、论证过程,最终得出明珠湾起步区适宜推进区域绿色建筑规模化发展的星级规划布局,以期为其他的城区发展提供示范。     

空气柱间隔装药结构及其参数分析

在光面爆破技术中，装药结构是一个重要的研究课题。由于目前我国矿用炸药规格较少，光面爆破尚无专用炸药，加之我国光爆工程中广泛使用的硝铵炸药存在着管道效应等问题，因此在光面爆破设计时，必须考虑装药结构的合理性，并找出相应的最佳参数。     

MHD低温蒸发系统内填料蒸发器蒸发过程的研究

MHD(Multistage humidification-dehumidification)低温蒸发技术,可以用太阳能、余热或废热为热源,低成本地处理高浓度污水,且蒸发温度低、节能效果显著。其中的填料蒸发器是一个重要部件,其特点是传热传质效率高、结构紧凑。本文基于非稳态三维气液流动,研究了填料蒸发器内的蒸发过程,包括液相颗粒质量变化、温度分布以及水蒸气浓度分布,揭示了填料蒸发器内废水原液蒸发及对干燥空气加湿的规律,为MHD低温蒸发系统填料蒸发器的结构性能优化以及蒸发系统整体性能计算提供了依据。     

绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究

基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0 V时的580 mV动态变化到VBS=0.6 V时的220 mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下,更具有优势.工作电压为0.6 V时,动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25.5倍,0.7 V时为12倍.而且浮体nMOSFETs中的浮体效应,诸如Kink效应,反常亚阈值斜率和击穿电压降低等,均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制.     

PDSOI 静态随机存储器的总剂量辐照加固

对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns.