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91.
一种新型毫米波矩形波导-微带过渡结构 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种新颖的、适用于毫米波频段的矩形波导-微带过渡电路结构。该过渡电路具有插入损耗低、频带宽、重复性好的特性。其矩形波导E面相对于微带电路面,以及电磁信号传输方向的位置与脊波导-微带过渡相同。该过渡电路的微带线与波导的转换部分采用非接触式结构,并设计了可调节元件,从而在有一定加工误差的条件下改善其产品传输特性。利用高频仿真软件CST,在Ka频段进行了优化仿真,并对利用其优化值所设计的一对背靠背的电路实物进行了测试,在32~40 GHz的频率范围内,插入损耗小于2.36 dB,回波损耗大于7.22 dB;在整个Ka频段内,插入损耗小于3.49 dB。 相似文献
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基于LabVIEW的光敏电阻自动测试系统是由555定时器和光敏电阻构成的多谐振荡电路,把对光敏电阻阻值的测量归结为频率的测量,结合LabVIEW采集电路实现电阻对频率的测量,并自动完成测量值转换成电阻值以及显示而制作的一套完整的自动测试系统。系统通过外置LED灯作为光源,控制其电压的变化使输出光强发生改变,从而使电路中光敏电阻阻值发生变化,继而引起输出信号频率发生改变,通过LabVIEW采集卡采集,自动测试、记录并处理分析得出某个频率下对应的光敏电阻阻值,并对这些器件的性能进行研究并以曲线显示出来。 相似文献
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By using correlation-detection technique and improving structure of the test tube,the background noise of thermionic-electrons and space charge effect are restrained.The sec-ondary emission coefficient δ of thermionic cathode at high temperature has been studied.Theδ of impregnated scandate cathodes increases exponentially with increasing temperature at lowenergy and current of the bombardment electrons;at high energy or current of the bombardmentelectrons the temperature has little effect on δ.The research shows that an enhanced thermionicemission occurred when the cathode works at high temperature and under electron bombardment.These phenomena are discussed in terms of “internal field model”. 相似文献
95.
砷化镓薄膜的电共沉积工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳电池等器件材料的主要因素。多年来,寻找低成本制备GaAs的工艺便成为半导体工作者的重要研究方向。这里介绍的称之为电共沉积工艺,就是一种低成本制备GaAs薄膜工艺。Chandra等人曾用此工艺成功地制备了CdSe、MoSe、WSe和CuIn-Se_2等薄膜,而对制备GaAs薄膜的研究报导却很少。 相似文献
96.
简要介绍了光子产业的发展历史、现状、特点和趋势,初步研究了光子产业的发展模式和领域,对确立光子产业在西部发展中的战略地位有较高的参考价值。 相似文献
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98.
99.
长M码序列具有大时宽带宽积和低截获率,在雷达对抗中具有较大优势,但长M码序列的非周期相关接收会产生大的距离旁瓣,强回波信号的距离旁瓣会淹没小的回波信号.采用时域的失配滤波法,结合权值迭代修正运算,能够有效地抑制距离旁瓣.但失配滤波法性能的变化情况并无确切分析,文中通过改变回波的信噪比和回波的多普勒频率的方法,测试了失配滤波法的性能的具体变化趋势.结果表明,失配滤波器的旁瓣抑制性能的多普勒容限稍微有所提高,但对多普勒频率非常敏感,并只在高信噪比情况下具有较好的旁瓣抑制能力. 相似文献
100.
据外刊缘引佛罗斯特·沙利文的最新研究指出,由于计算机及外围设备应用的不断扩大,到1998年,美国UPS市场将从1992年的12亿美元上升到21亿美元,其间的综合年增长率为6.5%。造成这 相似文献