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SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点,SOI CMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用。但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战。作为SOI模型国际标准,BSIM3SOIv1.3提出了新的模型参数解决方案。BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型,是在体硅MOS器件模型工业标准(BSIM3V3)的基础上开发而成,BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性,自加热和体接触提出相应的模型参数。 相似文献
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宣钢公司为了降低原料成本,采用了新的精粉资源和低价高硫精粉,造成了球团矿FeO含量波动。从入球原料和球团矿粒级角度分析了影响球团矿FeO含量的因素及影响程度。分析结果认为:随球团成品矿粒级变大,球团矿FeO含量升高,建议其粒级控制在10~14 mm;球团成品矿抗压强度一定程度可体现FeO含量水平。当球团矿FeO含量3%~7%,10~16 mm球团矿比例72%~85%,入球混合精粉硫含量0.2%~0.7%,细度67%~80%时,入球混合精粉硫含量对球团矿FeO含量影响比例为1∶2.15,混合精粉细度对球团矿FeO含量的影响比例为1∶0.22。球团生产末期工艺设备对球团矿FeO含量影响较大。 相似文献
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聚酯装置增容改造中对酯化釜的传热能力的核算 总被引:1,自引:0,他引:1
针对辽化聚酯装置增容改造工程中的立式内盘管加热式酯化反应器 ,经过多方案核算反应器传热和盘管内流动阻力 ,最终确定了更换搅拌器 ,提高搅拌循环量达到传热要求的改造方案 相似文献
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0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。 相似文献
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PTT连续生产工艺设计 总被引:1,自引:1,他引:0
重点分析了聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)直接酯化法连续生产的工艺特点,结合这些特点,详细介绍了PTT直接酯化法连续生产工艺技术的开发及工艺流程的创新点。 相似文献