SOI横向栅控双极晶体管特性研究

横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一。为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体管器件结构,研究范围包括工艺实现过程和器件性能特性。实验表明,该器件工艺与平面CMOS工艺完全兼容,通过对栅端电压的控制,可以实现hFE在一个较大的范围内自由调节,具有更大的使用灵活性。     

SOI技术问题和BSIM3SOIv1.3模型参数特点

SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点,SOI CMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用。但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战。作为SOI模型国际标准,BSIM3SOIv1.3提出了新的模型参数解决方案。BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型,是在体硅MOS器件模型工业标准(BSIM3V3)的基础上开发而成,BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性,自加热和体接触提出相应的模型参数。     

影响球团矿FeO含量的因素

宣钢公司为了降低原料成本,采用了新的精粉资源和低价高硫精粉,造成了球团矿FeO含量波动。从入球原料和球团矿粒级角度分析了影响球团矿FeO含量的因素及影响程度。分析结果认为:随球团成品矿粒级变大,球团矿FeO含量升高,建议其粒级控制在10~14 mm;球团成品矿抗压强度一定程度可体现FeO含量水平。当球团矿FeO含量3%~7%,10~16 mm球团矿比例72%~85%,入球混合精粉硫含量0.2%~0.7%,细度67%~80%时,入球混合精粉硫含量对球团矿FeO含量影响比例为1∶2.15,混合精粉细度对球团矿FeO含量的影响比例为1∶0.22。球团生产末期工艺设备对球团矿FeO含量影响较大。     

聚酯装置增容改造中对酯化釜的传热能力的核算

针对辽化聚酯装置增容改造工程中的立式内盘管加热式酯化反应器 ,经过多方案核算反应器传热和盘管内流动阻力 ,最终确定了更换搅拌器 ,提高搅拌循环量达到传热要求的改造方案     

应用于半导体设备的单片机系统中的“看门狗”

随着半导体设备中单片机的应用越来越多,对单片机控制系统的抗磁场干扰性能的要求不断提高,抗磁场干扰性能不仅来自硬件电路而且来自软件的稳定性。本文介绍了提高半导体设备单片机系统可靠性的“看门狗”硬件电路和软件设计方法。     

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。     

聚对苯二甲酸乙二酯聚合装置的能耗分析及节能措施

介绍了聚对苯二甲酸乙二酯(PET)聚合装置的热能消耗分布及电能消耗分布,分析了在满足生产的前提下,能够进行的节能降耗的优化设计,提出了具体的节能措施,量化了这些节能措施所能节约的热能和电能消耗.     

浅析PET装置的规模效应

介绍了大型PET装置与传统小型PET装置的区别,分析了大型PET装置因规模大而在建设投资、运行成本、生产运行等方面产生的规模效应,通过年产50万t与年产20万t装置的对比,量化了大型PET装置因规模效应而带来的建设投资和运行成本等方面的效益和好处。     

氨水、双氧水转国产化应用

化学试剂是微电子制造工艺中清洗工艺的重要材料。由于微电子制造对化学试剂的各项要求极高,在该制造业发展初期,国内中高端生产线以进口化学试剂为主。随着国内原材料厂商工艺能力的提高,各种国产化学试剂正逐步取代进口试剂。由于微电子制造对质量的要求,化学试剂国产化需要一个较长的过程。通过国产与进口氨水及双氧水在试剂纯度、单项工艺指标及能力、使用后的产品性能等方面作对比,得到了国产试剂可以取代进口试剂的结论。     

PTT连续生产工艺设计

重点分析了聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)直接酯化法连续生产的工艺特点,结合这些特点,详细介绍了PTT直接酯化法连续生产工艺技术的开发及工艺流程的创新点。