热采水平井完井筛管参数对管柱稳定性影响研究

为研究热采过程完井筛管参数对热采水平井完井筛管柱稳定性的影响,引入压杆失稳欧拉公式。以热采井H03-Y5井为例,通过ANSYS软件建立三维有限元模型,分析热采过程中孔密、孔径和壁厚等筛管参数变化对筛管完井管柱的稳定性影响。研究结果表明:在热采井H03-Y5热采过程中,完井筛管受轴向载荷作用时,发生3阶失稳破坏的载荷要远大于1、2阶破坏载荷;临界失稳载荷值随着筛管孔密和壁厚变化呈正相关,与筛管孔径呈负相关;为保证水平段套管柱的稳定性,需要在完井时增加筛管孔密、减小孔径或选用较大壁厚筛管。根据开孔套管特征及有限元计算结果,推导出开孔套管随孔密和孔径变化时的整体失稳临界载荷计算公式,该公式具有良好的适用性。研究结果可为热采过程中筛管柱的设计和失效预防提供参考和依据。     

阿尔奇公式的适用条件分析及对策

阿尔奇公式是砂岩储层利用测井资料计算含油饱和度的基础,但在泥质砂岩、低阻储层、复杂孔隙储层使用时效果变差,研究认为主要原因是对阿尔奇公式的适用条件认识不清。为此依据大量岩电实验数据,采用函数分析的方法,对阿尔奇公式适用条件进行了分析。结果表明,阿尔奇公式隐含的适用条件是:相同岩性、不同孔隙的岩样,其岩电参数a、b、m、n值应完全一样或大致接近;不同砂层的岩电参数a、b、m、n值差距越大,阿尔奇公式使用效果越差。同时,阿尔奇公式的函数关系式在泥质砂岩、低阻储层或复杂孔隙储层均能较好应用,区别在于与常规砂岩储层相比,岩电参数有明显变化。由于测井解释中逐点或逐层的岩电参数a、b、m、n值没有较好的确定方法,解释中所用岩电参数不可靠是影响含油饱和度计算精度的重要原因。所以,不同层砂岩使用相应的岩电参数,是提高测井解释符合率的有效途径。该研究指出了当前使用阿尔奇公式存在的关键问题,对阿尔奇公式在泥质砂岩、低阻储层、复杂孔隙储层的适用性提出了不同见解,对解决多年来围绕相关问题所进行的争论具有借鉴意义。     

蜜罐技术研究新进展

蜜罐技术是网络防御中的陷阱技术,它通过吸引诱骗攻击者并记录其攻击行为,从而研究学习敌手的攻击目的和攻击手段,保护真实服务资源。然而,传统蜜罐技术存在着静态配置、固定部署等先天不足,极易被攻击者识别绕过而失去诱骗价值。因此,如何提高蜜罐的动态性与诱骗性成为蜜罐领域的关键问题。该文对近年来国内外蜜罐领域研究成果进行了梳理,首先总结了蜜罐发展历史,随后以蜜罐关键技术为核心,对执行过程、部署方式、反识别思想、博弈理论基础进行了分析;最后,对近年来不同蜜罐防御成果分类叙述,并对蜜罐技术发展趋势进行了分析陈述,针对潜在安全威胁,展望新兴领域防御应用。

     

川中地区三叠系雷口坡组泥灰岩油气地质特征及充探1井发现意义

2022年,风险探井充探1井在中三叠统雷口坡组雷三²亚段海相泥灰岩段测试获工业油气流,发现新的产油气层段和新类型油气资源,勘探取得重大发现,但对泥灰岩油气成藏认识尚不清楚,制约了勘探选区与部署。以充探1井为重点,研究剖析了雷三²亚段泥灰岩油气成藏特征。研究表明：(1)油气及烃源岩地球化学分析数据显示充探1井雷三²亚段泥灰岩油气来源于自身泥灰岩烃源,泥灰岩既是烃源岩、又是储集层,源-储一体;(2)雷三²亚段泥灰岩在川中地区为潟湖相沉积,厚40～130 m,面积约40 000 km²,生烃强度为(4～12)×10⁸ m³/km²,估算生烃量为25×10¹² m³;(3)川中潟湖相区泥灰岩储集层大面积分布,西充—仪陇、资阳—简阳和磨溪南等3个地区储集层厚20～60 m,分布面积为7 500 km²;(4)潟湖相泥灰岩油气具有“源-储一体、膏盐岩封盖、超压...     

SMT焊接常见缺陷及解决办法

本文对采用SMT生产的印制电路组件中出现的几种常见焊接缺陷现象进行了分析，并总结了一些有效的解决措施。     

不平衡虚地求和（加法）放大器

下图所示的虚地求和放大器电路代表了一种极好的不平衡求和虚地放大器。该设计使用SSM-2134运算放大器，PMI公司的流行NE5534双极运放优良版本。此低噪声放大器现在能由大多数制造厂家用FET输入运放加以实现。     

高密度封装推动下的SMT组合测试技术

高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战，新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点，并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。     

微电子生产工艺可靠性评价与控制

简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时问有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中．确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。     

怀旧和时髦其实没有差别追踪手机发展史（三）

上两期我们一直在怀旧，从没有手机的时代一路走到成熟的手机网络，这一期我们来看些时髦一眯的东西，免得让怀旧成了守旧。     

S波段PHEMT单片阻性混频器

南京电子器件研究所最近研制出一种低中频的S波段单片PHEMT混频器,具有电路结构简单、三阶交调优越、噪声性能良好等优点,另外混频器要求的本振功率极低,并且基本无直流功耗。GaAs三端器件作为混频元件,其混频方式一般分为有源混频模式与阻性混频模式两种。本研究采用阻性混频方式,其特点是器件的源漏电压为零,电路仅需要提供一个接近夹断的负栅压,本振信号从概极注入,射频信号从漏极注入,中频信号从漏极经滤波电路输出。这种结构最大优点是:（1）低的1／f噪声,对于低中频的混频器,这种结构噪声性能较好;（2）优越的交调特性,当信号功率…