五凌公司大坝安全管理信息系统开发与应用

介绍了五凌公司大坝安全管理信息系统的建设情况,该系统由长沙监测中心站和电站监测分中心站组成,实现长沙监测中心对沅水流域电站大坝的远程监控、资料整编与分析、综合安全评估、决策支持、信息网络报送等功能。系统采用分层、面向服务体系结构,具有扩展性、兼容性以及高度智能化、自动化等特点,对国内流域梯级电站大坝安全管理信息系统的建设与管理有一定的借鉴作用。     

水电厂高压气系统关联监测方法

在介绍水电厂高压气系统工作原理的基础上,总结了水电厂高压气机异常启/停与相应故障的对应关系,提出了高压气系统的关联监测模型,并利用梯级水电厂群远程集控系统提供的海量数据源,建立了水电厂高压气系统远程分析与故障诊断平台。目前,该平台已投入工程试运行,成功诊断出水电厂高压气系统漏气故障,证明了其工程有效性。     

“区域值班员”模式关键技术研究与工程应用

五凌公司的电厂具有"绝对数量多,地域分布广,跨流域、跨调度机构,电源类型多样"的特点,在积极建设跨流域远程集控系统的过程中,为提高运行人员的工作效率,五凌公司在国内率先地提出了"区域控制"与"区域值班员"的概念,即由单个值班员实现多个电厂的监视与控制,在介绍五凌跨流域远程集控系统的基础上,重点阐述了"区域值班员"模式下"区域"的划分策略及主要原则,概括了"区域值班员"模式下集控系统若干关键技术的研究思路,展示了"区域值班员"中部分典型人机交互界面,目前,提出的"区域值班员"模式已经在五凌跨流域远程集控系统中获得应用,取得了良好的应用效果。     

五强溪水电厂工业电视监控系统数字化改造

随着电力系统自动化程度的不断提高,以及水电厂适应“无人值班”（ 少人值守）运行模式的要求,五强溪水电厂对常规工业电视监控系统进行了数字化技术改造 。文中介绍了该技术改造的内容、系统特点以及运行情况。该系统经过改造后,水电厂设备 运行更加安全可靠,维护方便,降低了运行值班人员的工作强度。     

高应变In_xGa_(1-x)As薄膜的结晶质量及光学特性

通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶In_xGa_(1-x)As薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对In_xGa_(1-x)As薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于In_xGa_(1-x)As薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了In_xGa_(1-x)As薄膜中存在应变。     

锑化物中红外半导体激光器研究进展

2～5微米中红外波段是极其重要的大气窗口,工作在该波段的半导体激光器的应用领域非常广泛。锑化物具有独特的能带结构,其禁带宽度可调范围较大,对应的发光波长可以覆盖整个中红外波段,因此一直是研究的重点和热点。本文简要介绍了锑化物半导体激光器的几种结构,锑化物激光器的外延生长方法和存在的困难,综述了当前国内外的研究进展。     

柔性衬底上AZO薄膜的生长及表征

用原子层沉积方法在柔性PET衬底上制备了AZO(掺铝氧化锌)薄膜,研究了Al的掺杂对ZnO薄膜的形貌,光学性能和电学性能的影响,结果表明:当掺杂量约为3%的AZO薄膜表面比较平整,晶粒分布比较均匀,薄膜仍具有纤锌矿晶体结构,由于掺杂所引入的应力使得薄膜的C轴取向性有所退化;PL光谱表明,与带边相关的激子发射谱没有明显变化,但与缺陷相关的发光明显增强。同时HALL测试得到AZO薄膜载流子浓度相比ZnO薄膜提高了大约一个数量级(3%Al掺杂时,为3.62X1020),但迁移率有所降低(3%Al掺杂时为9.66cm2V-1S-1)。     

跨流域水电厂群远程集控系统高级功能规划与应用

水电厂大都处于地方偏僻、人烟稀少、交通闭塞的山区,为加快智能水电厂建设进程,提高综合发电效益,提升运行员工生活品质,五凌公司积极稳妥推进跨流域水电厂群远程集控系统的建设。在介绍五凌公司电厂群地理分布特征的基础上,从提高流域综合发电效益、值班员监控的效率以及水电厂远程自动化维护等方面出发,重点介绍了跨流域水电厂群远程集控系统高级功能规划与应用。     

1.3 μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计

为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软件建立了条宽为50 μm、腔长为800 μm的半导体激光器仿真模型,模拟器件的输出特性,讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明：当量子阱组分为In0.44Ga0.56As0.92Sb0.08/GaAs0.92Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时,器件的性能达到最佳,阈值电流为48 mA,斜率效率为0.76 W/A。     

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展

半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。