低品位铜矿中提取铜工艺条件的研究

研究硝酸、硫酸混酸浸取低品位铜矿,探求低品位铜矿中提取铜最佳工艺条件。结果表明:液固比为4∶1,硫酸浓度50g/L,硝酸浓度150g/L,反应温度80℃,反应时间8小时。在此浸出条件下,铜的浸出率可达96.8%。     

冲天炉结构的改进

对冲天炉风圈、加料漏斗的技术改进，使冲天炉的故障率明显降低，维修费也大大下降。很好地保证了熔炼工序的顺利进行。     

电化学沉积技术在集成电路行业的应用

电化学沉积技术,作为集成电路制造的关键工艺技术之一,它是实现电气互连的基石,主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装Bump、RDL、TSV等电镀工艺。受WLP、2.5 D、 3 D、 S I P等先进封装技术的推动,未来3年市场空间可达1 5～2 0亿美元。     

变频刚柔搅拌反应器强化锰矿浸出及除铁过程

传统锰矿浸出过程采用刚性搅拌反应器,存在矿粉悬浮效果差、锰矿利用率低、浸出液中铁含量较高的问题。本文采用变频刚柔搅拌反应器强化锰矿的浸出过程,实验对比分析了不同桨叶类型、搅拌桨操作方式和变频间隔时间对锰矿浸出效果、搅拌功耗的影响,同时分析了变频刚柔桨耦合空气射流在除铁过程的效果。结果表明,变频刚柔桨通过柔性钢丝绳对流体的扰动作用以及变频操作对稳定流场的更新作用,提高浸出液中Mn²⁺含量;同时,由于体系变频操作的频率变化,降低了搅拌功耗。相同功耗下,刚柔组合桨体系浸出液中Mn²⁺含量相对于刚性桨体系提高了10.8%;相同转速下,刚柔组合桨体系在浸出过程的功率消耗相对于刚性桨体系提升了25.4%。变频间隔时间为30min时,变频刚柔桨体系浸出液中Mn²⁺含量相对于刚柔组合桨体系降低了2.17%,但相应搅拌功耗降低了28%。调节体系pH后,采用变频刚柔桨耦合偏心空气射流操作,可有效降低浸出液中Fe²⁺含量。在通气60min后,浸出液中Fe²⁺浓度已至较低水平,低于0.15mg/L。     

煤矿井下水仓清挖处理方法的分析比较

<正>为保证矿井安全排水,《煤矿安全规程》第281条规定:水仓、沉淀池和水沟中的淤泥应及时清理,每年雨季前必须清理1次,而水砂充填及水力采煤的矿井,对水仓或沉淀池的清理次数要根据具体情况来定。水仓清挖处理工作消耗工时较多,近十几     

采用分组调度算法控制整流器的高速自动电镀线

电镀电源的控制是高速自动电镀线的关键技术,相对于传统的模拟量控制方法,485总线控制的整流器具有抗干扰能力强、系统搭建简单等特点。但485总线存在轮询周期长的缺点,调整电流的实时性差。本文在以Modbus-ASCⅡ协议为基础,通过分组调度算法执行通信协议宏,有效的提高485总线的通信能力,满足高速电镀工艺的电源控制要求。     

实现组件PID合格的工艺研究

主要研究了用在管式PECVD沉积SiO_2-Si_3N_4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响。叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜与常规Si_3N_4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07%,其中短路电流和开路电压提升明显。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜电池的组件可以实现PID合格。     

长短叶片复合型刚柔桨强化搅拌槽内流体混沌混合行为

搅拌反应器中混合隔离区的存在是强化流体混合的主要障碍。打破搅拌槽中的对称性流场结构,破坏混合隔离区,可以提高流体混合效率。采用Matlab软件编程计算最大Lyapunov指数(LLE)和多尺度熵(MSE),比较了不同桨叶类型、柔性片长度、柔性片数量和桨叶离底高度以及转速对流体混合的影响。结果表明,长短叶片复合型刚柔桨(RF-LSB)桨叶通过刚柔耦合错位连接,柔性片的形变与随机振动对流体的非稳态扰动,使流场结构不稳定性和不对称性增强,强化了流体混合效果。当柔性片数量为3,搅拌转速为90 r/min时,RF-LSB体系比刚性桨和刚柔桨体系的LLE值分别提高了20.22%和7.98%;三种体系[RF-LSB(柔性片数量为3)、刚性桨和刚柔桨体系]的混合时间(θm)与单位体积功耗(Pv)呈指数型关系,当Pv相同时,RF-LSB(柔性片数量为3)的θm最小,表明RF-LSB(柔性片数量为3)更有利于流体混沌混合。     

广东省麻布岗地区银多金属矿床地质特征及找矿方向

麻布岗火山盆地是形成于中生代的陆相火山断陷盆地,经历了多期构造—岩浆活动,构造发育且火山岩分布较广。麻布岗火山盆地区域新发现多处银铅锌多金属矿床(点),通过分析区内银多金属矿的矿床特征、控矿条件发现,多数矿床(点)位于盆地边缘构造交汇部位,且与区内矽卡岩体有密切关系,在总结找矿标志的基础上,指出麻布岗火山盆地(西)南部应是下一步寻找多金属矿床的有利方位。     

基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究

穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。