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一般穿过楼板的管道位于靠近墙壁或墙壁转角处,传统的管道周围支模是采用木板刻圆后支设,由于场地狭窄、支撑不便,易造成跑浆、混凝土密实性差,导致发生渗漏。通过实践,我们利用废胶管进行扎模施工,不仅节约了木材和用工,也杜绝了跑浆现象.改善了混凝土的密实程度。操作要点如下。1.采用定型模具(一般采用钢管,其内径应大于管道外径40~60mm)预留管道过板孔,在混凝土终凝前可取出。2.预留孔应符合管道设计位置,严禁事后剔 相似文献
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分析了当前高校图书馆在人力资源管理中人岗匹配的现状及存在的问题,提出了图书馆实现人岗科学匹配的方法和措施. 相似文献
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介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术。针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对Al记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术。研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响。采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高。测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40%。测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100μs,占空比10%。 相似文献
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S波段脉冲大功率SiC MESFET 总被引:3,自引:3,他引:0
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 相似文献
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介绍了一种用于线性转向车辆自动角控转向器装置,旨在准确检测方向盘的旋转角度,能为驾驶员提供可调、合适的路感,且能在不同的工况下改变工作模式、调整方向盘完成全转向的转动圈数。 相似文献
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要说如今什么消费能牵动老百姓的最敏感神经,那就是房子。近来,全国的老百姓的敏感神经又被“物业税”给深深地触动了——中国人民银行行长周小川近日表示,我国将在适当时机选择试点实施物业税,届时将对不动产开征统一规范的物业税(财产税),相应取消其他与房地产有关的税费。而可能第一个吃此螃蟹的广 相似文献
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根据小角X射线散射(Small angle X-ray scattering,SAXS)技术特点和北京同步辐射装置1W2A小角站光源参数,设计了一款用于液体样品原位变温测试的样品槽。该样品槽采用双面变温方式使样品温度整体均匀,涵盖5-95oC较宽温度范围;待测溶液厚度不仅可根据溶液组分进行调节,且在变温过程中保持恒定,利于提高数据质量。通过设计,实现了待测溶液和背底溶液同时变温和交替测量,节省了宝贵的同步辐射机时。ANSYS热分析表明,设备结构设计合理,样品处温度精度通过校正能得到进一步提高。通过检测聚酰胺-胺(Polyamidoamine,PAMAM)树形大分子结构随温度的变化,表明该样品槽满足液体原位变温SAXS测试要求。 相似文献