针对S698系列处理器的Windows平台集成开发环境——Orion4.0的设计和应用

目前S698系列处理器在电子、通信以及航空航天等领域有着广泛的应用,但还没有基于这种架构的Windows平台集成开发环境,Orion4．0正好填补了这一空白。本文主要介绍如何利用可扩展的Java开发平台插件机制实现Orion4．0,同时演示如何利用这个集成开发环境进行高效率的开发。     

一种考虑部件冷备冗余的可靠性仿真方法

在考虑部件冗余情况下,通过分析系统部件的状态与系统最小割集之间的关系,研究了部件故障对系统状态的影响;建立了系统的仿真模型,根据系统完成任务的情况,得到了系统可靠性与平均失效时间的统计值,旨在为系统可靠性的设计提供依据.     

CO2激光焊接高强度镀锌板的试验研究

为了研究汽车专用高强度镀锌钢板的CO2激光焊接性能,采用侧吹保护气体的方法,进行了大量的焊接试验,并对焊缝进行了显微组织分析和相关的机械性能试验.在试验的基础上,选择了焊接保护气体的种类,分析了热输入工艺参数对材料深熔焊接熔化特性的影响,解决了因锌的蒸发及环境中水分等因素的影响下,在激光焊接时焊缝中易于形成气孔的问题.结果表明,在侧吹保护气体的条件下,激光深熔焊接能有效地避免高强度镀锌钢热影响区的软化和控制焊缝气孔及焊接接头裂纹的产生.     

高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。     

基于Hadoop的分布式财务异常数据分析系统设计

传统的异常数据监测算法依靠单台计算机对异常数据进行识别,识别速度慢,且无法满足对数据处理的精确性要求。针对上述问题,文中构建了Hadoop分布式财务异常数据分析模型。该模型采用Hadoop中的MapReduce框架作为并行计算框架,同时在数据异常检测算法方面引入了邻域关系的LOF算法,有效避免了数据集元素边缘可能会出现误判的情况。数值实验结果表明,文中所提算法的准确率相比其他3种同类算法提升了5%以上,且算法的总运行时间也明显缩短。由此可见,文中所提模型可快速、准确地检测出财务异常数据,保障医疗系统的平稳运行。     

大平均功率耦合腔行波管慢波系统的散热设计

慢波系统的功率容量是制约行波管平均功率提高的关键因素之一,特别是对于采用周期永磁(PPM)聚焦方式的耦合腔行波管更是如此.本文正是针对上述问题,研究了提高耦合腔行波管慢波系统散热能力的途径以及可采取的措施.提出了一种可提高耦合腔行波管慢波系统散热能力的结构方案,并对方案进行了热分析及磁分析.制管结果表明采用该散热结构方...     

超长线列红外探测器杜瓦真空寿命评估方法

针对超长线列红外探测器杜瓦具有容积大、零部件种类多、材料放气源多,特别是集成式超长线列杜瓦与内充3 MPa高压氦气的直线脉管冷指封装集成等特点,基于材料解析放气及渗透理论,建立了超长线列杜瓦组件真空寿命评估模型,对分置式与集成式超长线列杜瓦的真空寿命进行了计算,其真空寿命预计值均可以达到2年。设计了一种杜瓦真空度在线监测结构对这两类杜瓦的真空度进行了实时监测,分置式及集成式杜瓦真空寿命预计值与实测值相对误差分别为5.8%和6.96%。因集成式杜瓦真空寿命估算较为困难,对其热负载通过制冷性能进行实验验证,其热负载2年后未发生明显变化。     

YAG激光扫描刻槽机

本文设计了一种新型扫描激光刻槽机。分析了刻槽机的激光扫描系统和机械传动系统。YAG激光刻槽机每分钟能刻20个电阻,扩阻率500～3000倍;槽宽50μm;阻值精度±0.5%(R<1mΩ),±1%(R>1MΩ)。     

束缚于介质表面的“自由”电子的光电发射特性

首先计算了利用外场将自由电子束缚于电介质表面上时的电子费米能、位阱及逸出功。继而讨论了这种装填在电介质表面上的电子的光电发射特性。     

等离子体刻蚀工艺中的OES监控技术

采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用。实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl₂为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线。实验结果表明：OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断。最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论。