超高增益低噪声红外焦平面读出电路研究

高增益探测对InGaAs焦平面探测器在微光夜视条件下成像有重要意义.设计了一款InGaAs焦平面用的高增益低噪声64×64元读出电路.读出电路输入级采用CTIA模式(电容负反馈放大),通过计算发现输入级运算放大器热噪声是主要噪声源,采用单端替代差分运放将输入级噪声降低26％.同时,研究积分电容和增益、满阱容量、噪声的关系,将积分电容降低到1 fF,实现了超高增益和低噪声探测.读出电路采用0.18?m工艺设计,像元中心距为30?m.经过PEX(寄生参数提取)参数提取,实际积分电容为0.94 fF,经过测试芯片整体功耗低至24.1 mW,电路噪声电子数为4.37e.     

Performance analysis of chip-asynchronous coherent time-spreading optical CDMA system

Multiple-access interference(MAI) and beat noise(BN) in chip-asynchronous coherent time-spreading OCDMA system are evaluated by the aperiodic cross-correlation function of up-sampled sequence.Relationship between the mean intensity of aperiodic cross-correlation and MAI and BN is deduced,and then the relationship between BER and mean intensity of aperiodic cross-correlation is discussed.For 127-long gold sequence,mean BER performance of chip-asynchronous coherent time-spreading OCDMA is derived and compared...     

TS201高速通信接口设计及实现

ADI公司TigerSHARC系列DSP芯片TS201性能优越,在高速实时信号处理中得到广泛应用,而其中对TS201的通信接口设计成为保证其高速实时性能的关键.对TS201与FPGA之间两种主要通信接口进行了分析,并给出了两种接口的设计方法,其中总线传输方式设计简便,但占用较多的资源,而链路口方式采用LVDS技术,传输速率高而且可靠,更适合DSP与FPGA的通信.该设计方法已成功应用于某高速实时信号处理机中.     

基于Hadoop的分布式财务异常数据分析系统设计

传统的异常数据监测算法依靠单台计算机对异常数据进行识别,识别速度慢,且无法满足对数据处理的精确性要求。针对上述问题,文中构建了Hadoop分布式财务异常数据分析模型。该模型采用Hadoop中的MapReduce框架作为并行计算框架,同时在数据异常检测算法方面引入了邻域关系的LOF算法,有效避免了数据集元素边缘可能会出现误判的情况。数值实验结果表明,文中所提算法的准确率相比其他3种同类算法提升了5%以上,且算法的总运行时间也明显缩短。由此可见,文中所提模型可快速、准确地检测出财务异常数据,保障医疗系统的平稳运行。     

CO2激光焊接高强度镀锌板的试验研究

为了研究汽车专用高强度镀锌钢板的CO2激光焊接性能,采用侧吹保护气体的方法,进行了大量的焊接试验,并对焊缝进行了显微组织分析和相关的机械性能试验.在试验的基础上,选择了焊接保护气体的种类,分析了热输入工艺参数对材料深熔焊接熔化特性的影响,解决了因锌的蒸发及环境中水分等因素的影响下,在激光焊接时焊缝中易于形成气孔的问题.结果表明,在侧吹保护气体的条件下,激光深熔焊接能有效地避免高强度镀锌钢热影响区的软化和控制焊缝气孔及焊接接头裂纹的产生.     

高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。     

基于改进U-net的金属工件表面缺陷分割方法

针对金属工件表面缺陷分割精度低的问题,通过对工件表面图像缺陷特征研究,提出以U-net为基础,结合多尺度自适应形态特征提取模块及瓶颈注意力模块的工件表面缺陷分割模型。首先,在网络中嵌入多特征注意力有效聚合模块,提高信息的利用率,提取更多相关特征,从而高精度地提取缺陷目标。然后,在网络中引入瓶颈注意力模块,增加缺陷目标的权重,优化特征的提取,获取更多的特征信息,从而获得更好的分割精度。改进后的网络平均精度达到0.8749,比原网络相比提高了2.92%,平均交并比达到0.8625,提高了3.72%。与原始网络相比,改进后的网络具有更好分割的精度,可以获得更好的分割结果。     

基于SVM的蓄电池容量智能在线检测技术研究

支持向量机(SVM)是一种基于结构风险最小化原理,具有高泛化性能的学习算法.针对铅酸蓄电池容量测试复杂的非线性过程,提出了基于SVM的多输入信息融合技术.利用光纤铅酸蓄电池容量传感器对铅酸蓄电池容量电池进行了多次不同充放电工况条件下的实验,因输入多电压信号与输出电解液浓度存在着非线性关系,而电解液浓度能很好地反映蓄电池容量,利用SVM拟合该复杂的非线性过程,仿真结果显示拟合效果较好,能将误差控制在-0.012～0.015.试验结果表明,传感器输出的信号与蓄电池容量存在着固定的函数关系,理论预测与实际测量结果基本一致,从而表明基于SVM的光纤铅酸蓄电池容量在线智能检测技术的可行性.     

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.