首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1645385篇
  免费   30762篇
  国内免费   8508篇
电工技术   36482篇
技术理论   2篇
综合类   8675篇
化学工业   282318篇
金属工艺   67530篇
机械仪表   47751篇
建筑科学   51406篇
矿业工程   12541篇
能源动力   51279篇
轻工业   128599篇
水利工程   16854篇
石油天然气   40264篇
武器工业   352篇
无线电   203184篇
一般工业技术   304282篇
冶金工业   219954篇
原子能技术   34642篇
自动化技术   178540篇
  2021年   16955篇
  2020年   13039篇
  2019年   15623篇
  2018年   18574篇
  2017年   18118篇
  2016年   23453篇
  2015年   18941篇
  2014年   30543篇
  2013年   90271篇
  2012年   40440篇
  2011年   55032篇
  2010年   46823篇
  2009年   54283篇
  2008年   50464篇
  2007年   48055篇
  2006年   49133篇
  2005年   43905篇
  2004年   44996篇
  2003年   44547篇
  2002年   43114篇
  2001年   40533篇
  2000年   38537篇
  1999年   38811篇
  1998年   63996篇
  1997年   50783篇
  1996年   42904篇
  1995年   35330篇
  1994年   32501篇
  1993年   32300篇
  1992年   27385篇
  1991年   24533篇
  1990年   24725篇
  1989年   23732篇
  1988年   22293篇
  1987年   20398篇
  1986年   19765篇
  1985年   23068篇
  1984年   22824篇
  1983年   20771篇
  1982年   19666篇
  1981年   19844篇
  1980年   18451篇
  1979年   18832篇
  1978年   18077篇
  1977年   18595篇
  1976年   20700篇
  1975年   16217篇
  1974年   15668篇
  1973年   15812篇
  1972年   13248篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 72 毫秒
21.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
22.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
23.
24.
Multimedia Tools and Applications - Recently, many concepts in technology has been changed. According to the digital transformation trends, Internet of Things (IoT) represents an interested...  相似文献   
25.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
26.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
27.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
28.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
29.
Forschung im Ingenieurwesen - Das Arbeitsmittel in Wärmepumpen unterliegt einer Vielzahl von Anforderungen, welche für einen effizienten und sicheren Betrieb eingehalten werden...  相似文献   
30.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号