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991.
以聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料(PP/MMT)为原料,在单螺杆挤出装置上,通过连接Kenics静态混合器,研究了静态混合器对PP/MMT微观形态的影响,并用透射电子显微镜(TEM)研究了MMT在PP中分散的形态。结果表明:通过Kenics静态混合器混合后,MMT在基体PP中的分散更加均匀,并出现明显的片层剥离;混沌混合是获取剥离型PP/MMT的有效手段。 相似文献
992.
在科学计算、数字信号处理、通信和图像处理等应用中,除法运算是常用的基本操作之一。基于SRT 8除法算法,设计一个SIMD结构的IEEE 754标准浮点除法器,在同一硬件平台上能够实现双精度浮点除法和两个并行的单精度浮点除法。通过优化SRT 8迭代除法结构,提出商选择和余数加法的并行处理,并采用商数字存储技术降低迭代除法的计算延时,提高频率。同时,采用复用策略减少硬件资源开销,节省面积。实验表明,在40nm工艺下,本设计综合cell面积为18601.9681 μm2,运行频率可达2.5GHz,相对传统的SRT 8实现关键延迟减少了23.81%。 相似文献
993.
针对智能设备,为避免引入虚拟化技术而产生的性能开销,提出并实现了MuxOS。MuxOS是一种多重操作系统架构,使得智能设备可以在非虚拟化条件下运行多个操作系统。介绍了MuxOS工作原理,描述了MuxOS运行流程。测试结果表明, MuxOS性能优于Xen等虚拟化产品,可以实现操作系统间亚秒级的快速切换。 相似文献
994.
针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同:体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义。 相似文献
995.
采用粒子群优化算法,以电压增益、共模抑制比、输入电阻平方根的三者乘积对输出电阻的比作为适应度函数,对差分 共射两级直接耦合电压串联负反馈放大电路中的电阻做自适应优化。结果显示,只要对电路交流指标加以约束,适应度函数值总会减小。当分别对增大电压增益和减小输出电阻进行限制后,电压增益总是尽量小,输出电阻总是尽量大,以使适应度函数在给定约束下取得最大。经EWB软件对优化参数仿真,结果满足线性放大要求。同时说明了可以调整适应度函数形式,找到最佳电路参数,以满足工程上对放大器指标的不同需求。 相似文献
996.
997.
998.
999.
访问控制是信息安全的一个重要保障。在介绍RBAC模型的基础上,根据考务管理系统中用户职责,规定用户访问权限,定义考务管理系统中的角色及其对应的权限,阐述RBAC在考务管理系统中的应用,为考务管理系统的访问控制安全提供一种思路。 相似文献
1000.
从军校外训教学特点出发,结合课程设计,介绍了任务驱动教学法在外训Photoshop课程中的具体运用。在任务驱动教学法的理论依据、案例的设计、案例教学的实施等方面作了研究,在如何将理论与实践相结合进行设计上,进行了尝试并取得较好效果。 相似文献