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通过对有线电视系统干扰信号产生原因的理论分析,提出在实际操作中的解决方案,以期达到使有线电视系统信号的输出更稳定、电视画面更清晰的目的。 相似文献
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首次对茂金属聚丙烯(miPP)/齐格勒-纳塔聚丙烯(ziPP)共混体系的流动性进行了系统的研究。研究发现,在miPP/ziPP共混体系中,miPP含量的变化改变了共混体系的相结构,这种相结构会随着温度和剪切速率的变化而产生明显的变化,从而改变了体系的流动性能,且该共混体系在不同剪切速率下的流动曲线可以分别通过两个模型进行模拟。 相似文献
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In this paper we study the optimization issues of ring networks employing novel parallel multi‐granularity hierarchical optical add‐drop multiplexers (OADMs). In particular, we attempt to minimize the number of control elements for the off‐line case. We present an integer linear programming formulation to obtain the lower bound in optimization, and propose an efficient heuristic algorithm called global bandwidth resource assignment that is suitable for the design of large‐scale OADM networks. 相似文献
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介绍了一种新的探测雷达最小作用距离的方法,打破了传统的最小跟踪距离受发射脉宽局限的限制,重点介绍对发射线性调频信号的雷达的近距离探测方法,并给出了仿真计算结果。 相似文献
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纳米ZrO2等离子涂层的结构,性能和工艺特点 总被引:6,自引:0,他引:6
采用大气等离子喷涂技术(APS),制备了常规氧化锆和纳米结构氧化锆两种涂层.利用扫描电镜(SEM)对涂层的显微结构进行了观察.对两种涂层的沉积效率、表面粗糙度和显微硬度作了对比研究.结果表明,粉末原料的显微结构、粒度、形态、喷涂工艺参数(喷涂功率和距离)对涂层的显微结构有较大的影响.等离子喷涂造粒纳米氧化锆粉制备的涂层沉积效率高而稳定,其显微结构与喷涂功率和距离密切相关.与常规氧化锆涂层相比,纳米结构氧化锆涂层具有较高的显微硬度和较低的表面粗糙度. 相似文献
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89.
90.
Shiao-Shien Chen Tung-Yang Chen Tien-Hao Tang Jin-Lian Su Tzer-Min Shen Jen-Kon Chen 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(7):1683-1689
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs. 相似文献