有线电视系统干扰信号的产生及排除

通过对有线电视系统干扰信号产生原因的理论分析，提出在实际操作中的解决方案，以期达到使有线电视系统信号的输出更稳定、电视画面更清晰的目的。     

miPP/ziPP共混体系的流动性能

首次对茂金属聚丙烯(miPP)／齐格勒-纳塔聚丙烯(ziPP)共混体系的流动性进行了系统的研究。研究发现，在miPP／ziPP共混体系中，miPP含量的变化改变了共混体系的相结构，这种相结构会随着温度和剪切速率的变化而产生明显的变化，从而改变了体系的流动性能，且该共混体系在不同剪切速率下的流动曲线可以分别通过两个模型进行模拟。     

面积坐标法构造含转角自由度的四结点膜元

以四边形面积坐标作为工具,构造了两个含转角自由度的广义协调四边形单元AQ4和lAQ4。它们通过强式分片检验,与同类单元相比,具有很高的计算精度,能消除梯形闭锁现象,有很强的抗网格畸变的能力。     

Wavelength and Waveband Assignment for Ring Networks Based on Parallel Multi‐granularity Hierarchical OADMs

In this paper we study the optimization issues of ring networks employing novel parallel multi‐granularity hierarchical optical add‐drop multiplexers (OADMs). In particular, we attempt to minimize the number of control elements for the off‐line case. We present an integer linear programming formulation to obtain the lower bound in optimization, and propose an efficient heuristic algorithm called global bandwidth resource assignment that is suitable for the design of large‐scale OADM networks.     

交叉试验

发生了质量事故,是设备、操作等硬件的缘故,抑或药液的缘故?通过交叉试验的故事,把真相找了出来。     

线性调频雷达最小作用距离范围内目标距离的测量

介绍了一种新的探测雷达最小作用距离的方法,打破了传统的最小跟踪距离受发射脉宽局限的限制,重点介绍对发射线性调频信号的雷达的近距离探测方法,并给出了仿真计算结果。     

纳米ZrO2等离子涂层的结构,性能和工艺特点

采用大气等离子喷涂技术(APS)，制备了常规氧化锆和纳米结构氧化锆两种涂层．利用扫描电镜(SEM)对涂层的显微结构进行了观察．对两种涂层的沉积效率、表面粗糙度和显微硬度作了对比研究．结果表明，粉末原料的显微结构、粒度、形态、喷涂工艺参数(喷涂功率和距离)对涂层的显微结构有较大的影响．等离子喷涂造粒纳米氧化锆粉制备的涂层沉积效率高而稳定，其显微结构与喷涂功率和距离密切相关．与常规氧化锆涂层相比，纳米结构氧化锆涂层具有较高的显微硬度和较低的表面粗糙度．     

在基于MPLS的层次化移动IP网络中支持DiffServ的研究

MPLS支持DiffServ、流量工程,能为网络提供较好的QoS保证,而移动IP(MIP)能为移动设备提供较好的移动性支持。文章探讨了在无线接入网中MPLS和MIP结合实现DiffServ的方案,并给出了一种在基于MPLS的层次化MIP网络结构中支持DiffServ的体系结构,设计了其节点功能模型和关键协议。方案中利用了层次化结构的区域注册和重路由机制,减少了切换时延和网络的信令负荷。     

微流控分析芯片制作中的低温键合技术

微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础。制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要。本文针对近年来发展迅速的低温键合技术,对各种方法进行了评价,并对其发展前景进行了展望。     

Characteristics of low-leakage deep-trench diode for ESD protection design in 0.18-/spl mu/m SiGe BiCMOS process

This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs.