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41.
研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。 相似文献
42.
43.
简要介绍了通过IP网络上电路倍增设备(IP CME)的数据流的处理过程;IP CME中的复用技术;控制IP包发送的激活算法;网络发生拥塞丢包的处理方法;并在传输效率和信令处理2个方面与VOIP进行比较,可以看出IP CME具有很大的优越性和良好的发展前景。 相似文献
44.
Thermo-Sensitive Ba0.64Sr0.36TiO3 Thin Film Capacitors for Dielectric Type Uncooled Infrared Sensors
Liang Dong Ruifeng Yue Litian Liu Xiaoning Wang Jianshe Liu Tianling Ren 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2003,24(8):1341-1349
Ba0.64Sr0.36TiO3 (BST) thin films are prepared on Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si substrates by a sol-gel method. Thermo-sensitive BST thin film capacitors with a Metal-Ferroelectrics-Metal (M-F(BST)-M) structure are fabricated as the active elements of dielectric type uncooled infrared sensors. XRD are employed to analyze the crystallographic structures of the films. AFM observations reveal a smooth and dense surface of the films with an average grain size of about 35 nm. Rapid temperature annealing (RTA) process is a very efficient way to improve crystallization quality. The preferable annealing temperature is 800°C for 1 min. The butterfly shaped C-V curves of the capacitors indicate the films have a ferroelectric nature. The dielectric constant and dielectric loss of the films at 100 kHz are 450 and 0.038, respectively. At 25°C, where the thermo-sensitive capacitors work, the temperature coefficient of dielectric constant (TCD) is about 5.9 %/°C. These results indicate that the capacitors with sol-gel derived BST thin films are promising to develop dielectric type uncooled infrared sensors. 相似文献
45.
46.
通过对电信运营企业多渠道融资的必要性的阐述,论证了项目融资是电信运营企业可选的一种融资方式,并有针对性地提出了电信运营企业实施项目融资的模式及应注意的问题。 相似文献
47.
Yugong Wu Huili Zhang Yue Zhang Jinyi Ma Daohua Xie 《Journal of Materials Science》2003,38(5):987-994
Compositions in (Na1/2Bi1/2)TiO3 based ternary system, (0.97 – x) (Na1/2Bi1/2)TiO3-0.03NaNbO3-xBaTiO3 (x = 0, 0.01, 0.02, 0.04, 0.05, 0.06, 0.08) are synthesized using conventional solid state reaction method. Influence of BaTiO3 on crystal structure, dielectric and piezoelectric properties are investigated. All compositions can form single perovskite phase. Powder x-ray diffraction patterns can be indexed assuming a pseudo-cubic structure. Lattice constant increases with the increase of BaTiO3 concentration. Rhombohedral distortion is observed in poled samples with BaTiO3 concentration up to 6 mol%. Temperature dependence of dielectric constant and dissipation factor measurement reveals that all compositions experience two phase transitions: from ferroelectric to antiferroelectric and from antiferroelectric to paraelectric. Both transition temperatures, T
c and T
f, are lowered due to introduction of BaTiO3. Ferroelectric to antiferroelectric phase transition has relaxor characteristics. Piezoelectric properties have relatively higher value around 1 mol% to 4 mol% BaTiO3. In ceramics with x = 0.02, thickness electromechanical coupling factor (k
t) of 0.51 and piezoelectric charge constant (d
33) of 110 × 10–12 C/N are obtained. Addition of small amount of BaTiO3 (x = 0.01, 0.02) improves piezoelectric properties compared to NBT-NN binary system, while T
f remains above 140°C, higher than that of NBT-BT binary system composition with similar piezoelectric properties. This is in favor of the possible application of them as lead-free piezoelectric ceramics. 相似文献
48.
49.
50.
作者通过新旧抗震设计规范几个方面的对比,简要介绍了抗震设计新规范的主要改进情况,对结构设计人员学习抗震设计新规范有一定的指导作用。 相似文献