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22.
Flocculation morphology is a new concept that investigates the morphological characteristics of colloidal particles and coagulants in water during the flocculation process, and the influence that these characteristics have on flocculation process efficiency. This paper is a summary of advances in research on this topic over several years. Morphological characteristics of colloids in natural waters and different kinds of hydrolysed coagulants are investigated, and their effect on colloid stability, flocculation kinetics and efficiency is analysed. It is confirmed that the traditional theory has some deviations in coagulation of nonspherical particles, and these deviations are revised by the flocculation morphology model. Flocculation morphology can not only promote research about flocculation theory, but also instruct the production, application and flocculation control. It can be foreseen that more progress will be made in research and application of flocculation morphology in the near future. 相似文献
23.
This letter presents some further results on the local stability in equilibrium for Internet congestion control algorithm proposed by Low et al., (IEEE/ACM Transactions on Networking, 1999). The propagation delay d(t) is assumed to be time-varying and have maximum and minimum delay bounds (i.e., d/sub m//spl les/d(t)/spl les/d/sub M/), which is more general than the assumption (0相似文献
24.
研究了用固体润滑石墨、碳化硅、二硫化钼等填料改性的聚苯硫醚 (PPS)涂层的耐磨性能。实验结果表明 ,聚苯硫醚复合涂层具有优良的耐磨性 ;加入适量 ( 3 0 % )的石墨、碳化硅等固体润滑剂 (石墨 :碳化硅 =2∶3 ) ,可以有效提高涂层的耐磨性能 ,而二硫化钼和三氧化二铬的减摩效果更佳 相似文献
25.
高压线走廊下建设大型公共绿地的探索 总被引:2,自引:0,他引:2
通过闵行经济技术开发区范围内高压线走廊下的40万m~2非生产性用地建设成大型公共绿地的实践,提出了“以绿养园,以园养园”的新思路,充分体现“谁种养,谁保护,谁得益”的原则,给上海地区乃至全国开发利用高压线走廊下的土地资源,提供了借鉴。 相似文献
26.
27.
官泓 《有色冶金设计与研究》2003,24(3):49-51
阐述水厂设计中对水厂规模、水源地、净水厂位置及净水工艺的确定过程,根据原水的特点,通过分析对无阀滤池进行改良。 相似文献
28.
在顺丁橡胶后处理生产线上,用处行开发的新型交替运输取代原有运输机。试用结果表明,采用新型交替运输机后,胶块的导向到位率由70%提高到98%;减轻了劳动强度,提出了生产开工率,运行周期可达1a以上。 相似文献
29.
Guan L. Christou A. Halkias G. Barbe D.F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(4):612-617
A model for the calculation of the current-voltage characteristics of strained In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs on InP substrate High Electron Mobility Transistors (HEMT's), based on a variational charge control model, is presented. A polynomial fit of the two-dimensional electron gas (2DEG) density is used for the calculation of the current-voltage characteristics. The effect of strain is introduced into the 2DEG density versus gate voltage relation. Very good agreement between the calculated and measured I-V characteristics was obtained. In addition, our results show that, for an indium mole fraction of the InxGa1-xAs channel in the range 0.53-0.60, increasing the indium mole fraction lowers the threshold voltage and hence increases the drain current at the same gate bias 相似文献
30.
2003年夏天,广州大学城广州外语外贸大学一期项目的单体设计在相当短的设计周期中紧张地铺开。 相似文献