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31.
FAN Xi-zhi 《半导体光子学与技术》2004,10(3)
Based on Chun-Ching Shih's idea, the basic transform was substituted and the quasi-ChunChing Shih's fractional Fourier transform with periodicity of 2, 3 and M was deduced. The two former transforms and the Chun-Ching Shih's fractional Fourier transform were only the particular cases of quasiChun-Ching Shih's fractional Fourier transform with periodicity of M. 相似文献
32.
本文针对调制阶数大于4的MPSK和MQAM调制,在重传中采用非均匀星座图和符号比特重新排序,提出了一种改进的ARQ方案。通过对AWGN信道下ARQ方案进行理论分析和数值仿真,表明基于非均匀星座的新方案在信道条件较差时能有效地提高重要比特的可靠性,若重传中结合符号比特重排和分组合并,则可使接收端解调合并后的比特可靠性趋于均匀且总体得到提高,从而有效地减少重传次数,提高系统的吞吐率。由于本文所提方案并不改变调制解调规则和数据分组长度,故容易实现和控制。 相似文献
33.
The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
34.
阐述了电接点压力表补水泵定压系统的一些应用问题 ,给出了电接点压力表定压点的上、下限计算公式 ,并提出了该系统补给水泵、补给水箱及安全阀的设计选型方法 相似文献
35.
36.
粘土矿物是低渗砂岩储层的主要胶结物,对储层物性及开发过程中储层物性变化趋势有着重要的影响和控制作用。另外,粘土矿物也蕴含着大量沉积环境介质的物理化学信息,认识其自然规律,可以有效地指导预测有利储层,认识和改造油层。以鄂尔多斯盆地砂岩储层中的粘土矿物为研究对象,探讨分析粘土矿物对低渗储层性质的影响,该研究对含油气盆地低渗储层有效开发具有一定的参考价值。 相似文献
37.
The effect of annealing on microstructure,adhesive and frictional properties of GeSb 2 Te 4 films were experimentally studied.The GeSb 2 Te 4 films were prepared by radio frequency(RF)magnetron sputtering,and annealed at 200℃and 340℃under vacuum circumstance,respectively.The adhesion and friction experiments were mainly conducted with a lateral force microscope(LFM)for the GeSb 2 Te 4 thin films before and after annealing.Their morphology and phase structure were analyzed by using atomic force microscopy(AFM)and X-ray Diffraction(XRD)techniques,and the nanoindention was employed to evaluate their hardness values.Moreover,an electric force microscope(EFM)was used to measure the surface potential. It is found that the deposited GeSb 2 Te 4 thin film undergoes an amorphous-to-fcc and fcc-to-hex structure transition;the adhesion has a weaker dependence on the surface roughness,but a certain correlation with the surface potential of GeSb 2 Te 4 thin films.And the friction behavior of GeSb 2 Te 4 thin films follows their adhesion behavior under a lower applied load.However,such a relation is replaced by the mechanical behavior when the load is relatively higher.Moreover,the GeSb 2 Te 4 thin film annealed at 340℃presents a lubricative property. 相似文献
38.
Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured. 相似文献
39.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献
40.
ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算 总被引:3,自引:0,他引:3
从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果,应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。 相似文献