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41.
An experimental study of an optical burst switching network based on wavelength-selective optical switches 总被引:1,自引:0,他引:1
Li Xinwan Chen Jianping Wu Guiling Wang Hui Ye Ailun 《Communications Magazine, IEEE》2005,43(5):S3-10
In this article we report the system structure and test results of an experimental optical burst switching network with three edge router's and one core node. Wavelength-selective switches developed for this system and their characteristics are depicted. The implementation and performance of our new scheme for the just-in-time protocol are described. We also report experimental results of FTP and VOD services on this system. Some parameters, including traffic rate, average burst data length, and assembly time, are studied. 相似文献
42.
冯博 《西安邮电学院学报》2008,13(3):33-36
讨论了几种微蜂窝路径损耗模式,并用我国某城市测量的微蜂窝传播数据对COST231WI,修正COST231WI和Xia模式进行了检验,结果表明修正COST231模式的误差最小,Xia模式次之,COST231WI模式最差。从而得到修正COST231模式比较符合我国实际的微蜂窝传播预测模式。 相似文献
43.
44.
45.
结合兰州市的水泥标准稠度用水量方法测定 (代用法 )的实例 ,分析代用法测定标准稠度用水量的缺点 ,并对此方法提出了一些改进措施 相似文献
46.
Hui Chen D.T.K. Tong 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(4):801-803
Symmetric interference in two-dimensional multimode silicon waveguides is experimentally investigated. For a 100/spl times/100 /spl mu/m/sup 2/ cross section, 2700-/spl mu/m-long waveguide fabricated on silicon-on-insulator substrate, an 8/spl times/8 matrix of replicated images with high contrast ratio is demonstrated for 1530-1570 nm wavelength range. Symmetric interference results in reduced device length, and the actual device length is consistent with the theoretical expectation. The device also exhibits stable imaging in terms of good loss uniformity, and low wavelength and polarization dependencies among the replicated images. 相似文献
47.
48.
We report the growth of highly C-axis orientation of Sr
x
Ba1−x
Nb2O6 (SBN) thin films on p-type (100) Si substrates by using a potassium-substituted SBN template layer with the sol–gel method. The crystallization of SBN thin films was found closely related to the potassium ion doping concentration and the postannealing temperature of the K-SBN template layer. Secondary ion mass spectrometry analysis showed that potassium elements were accumulated at the interface of the template layer and silicon substrate. SBN films postannealed at 750 °C with K-SBN template layer has a smaller full width at half maximum of X-ray rocking curve of 2.45° than that of 5.40° for the pure SBN films. By introducing a template layer, the surface morphologies of SBN films fabricated on silicon substrate were greatly improved. 相似文献
49.
50.
针对目前爆轰试验中使用的机械密封射频连接器存在的问题.设计了基于玻璃封接技术的新型密封射频连接器结构,并进行了射频反射补偿计算和强度分析.本项研究为爆轰条件下新型密封射频连接器的研制提供了设计依据. 相似文献