合成直链烷基苯的锆磷铝固体酸催化剂 I.催化剂合成及其影响因素

合成了一系列用于苯与直链烯烃烷基化反应的含有杂原子的磷铝分子筛固体酸催化剂 (MeZrAPO 5 ) ,同晶取代磷铝分子筛骨架中磷和铝的杂原子包括锆和至少一种选自硅、硼、镓、锗、铁、镁、锡等的元素。考察了晶化温度、晶化时间、杂原子种类、铝源等因素对催化剂合成的影响 ,探索了合成样品中模板剂脱除的最佳条件。结果表明 ,晶化温度高于 15 0℃、n(TEA) /n(Al2 O3 )≥ 1 5以及加入Zr原子都有利于直接生成MeZrAPO 5晶相 ;用小晶粒和高结晶度的铝源合成时 ,分子筛的结晶度高。     

引进综采设备常用渐开线花键的标准及计算

根据煤矿引进的综采设备中采用不同标准渐开线花键的特点 ,提出了综采设备常用渐开线花键的测量与计算     

螺旋槽管强化传热原理及在石化装置上的应用前景

详细介绍了螺旋槽管换热器的强化传热原理 ,阐明了在无相变和有相变两种工况下 ,螺旋槽管换热器的强化作用 ,并介绍了螺旋槽管换热器的设计计算方法。说明了在石油化工装置上应用的必要性     

高Al2O3物料对镍电炉渣粘度的影响

论文对Al2O3高达69．46％的含镍物料电炉处理时对炉渣性能的影响进行了研究。研究表明：吉林镍业公司冶炼厂电炉渣1340℃时黏度为0．538P．s；电炉渣在不添加任何其它试剂的情况下，渣中Al2O3含量不宜高于9％；加入添加剂后，炉渣黏度降低，当在配料中加入20％此种含镍物料时，添加剂加入量7％为宜，此时炉渣黏度为0．74P．s（1340℃）。     

电算法在液压支架受力分析中的应用

建立支架受力分析的电算设计数学模型并给出程序框图     

柔性物流技术在生产中的应用

东风汽车公司立足于自己特殊的地理环境及发展历程，经过30年的实践和探索，形成适合自身的物流组织，如：采用合理的计划实施多品种混流和同步化生产、对跨厂际零部件采用物流组织配送制等，运用MRP与JIT相结合的先进的自动化采集技术，建立管理信息系统，使企业的生产经营工作取得了同步的发展。     

HP700圆锥破碎机动锥的有限元分析

对HP700圆锥破碎机的主要部件动锥建立了有限元分析模型，用ANSYS软件对动锥进行了有限元强度和刚度分析，结果输出了动锥分布及变形图，对圆锥破碎机的结够设计提供了依据。     

兴凯湖大湖直立式护岸

1概述兴凯湖位于黑龙江省东北部的密山市境内,为中俄共有的淡水湖,湖面总面积4 380 km2;中国侧最深处6 m,靠近岸边水深0·2~0·8 m,岸边沙滩坡度很缓,主风向为西南风,平均风速3·7 m/s,最大风速17·5 m/s,在近15 a内沿湖有多处湖岗因冲刷坍岸严重,经常有较为珍贵的树种—湖岗松倒地湖岸边,破坏了湖岗的生态环境。兴凯湖大湖护岸工程处于正向迎风处,属兴凯湖农场区段内,工程分别被列为《黑龙江省国境界河国土防护工程规划》、《黑龙江省国境界河国土防护工程实施方案》、《乌苏里江、绥芬河流域防洪及国土防护规划报告》中,根据历次工程设计…     

应用事故树法对深水井控进行风险评估

深水井喷事故危害极大，严重时可导致井眼报废、船毁人亡等恶性后果，预防和控制深水井喷是国内外石油界的一个技术难题。文中利用风险树分析引发深水钻井工程事故的顶事件，重点讨论各底事件的相互联系及对系统的影响程度，分析顶事件的发生概率，为最大程度地减少深水井控事故的发生提供理论依据。通过对深水钻井过程中存在的风险进行分析，构建了深水井控风险分析事故树，并对其进行了定性与定量分析。通过风险分析，认为深水井控最主要的影响因素是关井及压井时设备故障、设计方法及操作失误的影响超过安全极限。分析表明，降低基本事件的发生概率对预防井喷作用明显，基本事件发生概率提高1倍，井喷发生概率提高近10倍。针对深水井控过程中存在的风险因素，从工艺、装备及人员要求方面提出了预防深水井喷的措施。     

A new polysilicon CMOS self-aligned double-gate TFT technology

In this paper, a new polysilicon CMOS self-aligned double-gate thin-film transistor (SA-DG TFT) technology is proposed and experimentally demonstrated. The self-alignment between the top- and bottom-gate is realized by a backlight exposure technique. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick source/drain region. Experimental results show that this technology provides excellent current saturation due to a combination of the effective reduction in the drain field and the full depletion of the ultrathin channel. Moreover, for n-channel devices, the SA-DG TFT has a 4.2 times higher on-current (V/sub gs/=20V) as compared to the conventional single-gate TFT. Whereas for the p-channel devices, the SADG TFT has a 3.6 times higher on-current (V/sub gs/=-20V) compared to the conventional single-gate device.