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Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
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有水气藏是天然气藏中的一个基本气藏类型,其采收率受多种因素的影响,如地面集输压力、井筒混合气水流动的液柱压力和储层物性等,目前普遍采用经验取值、物质平衡和气藏数值模拟等方法进行研究,但由于受开发评价阶段试采资料偏少和气藏数值模拟无法模拟井筒流动等因素的影响,早期采收率计算往往偏差较大,针对这些问题,从气田开发一体化的特点出发,提出了一种全面考虑地层→井筒→地面流动条件下,有水气藏(含凝析有水气藏)发废弃压力的计算方法,发展了利用物质平衡早期预测有水气藏采收率的理论,方法可靠、适用性强,能够推广应用。 相似文献
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