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991.
消偏器在实现低偏度(DOP)喇曼泵浦源、解决喇曼放大器(FRA)偏振相关增益(DOG)问题中有重要的作用。根据Febry-Perot(FP)激光器输出光谱的特点,从频域的角度分析用于多纵模激光器的晶体型消偏器的性能。仿真计算表明:1)消偏器的性能与光谱的半峰全宽(FWHM)有关;2)每个纵模谱宽的变化不影响消偏性能。由此得出最优晶体厚度与纵模间距及光谱的包络有关。提出了在满足DOP为5%的情况下,最优晶体厚度的估算方法。对于一般的FP光源进行消偏,晶体厚度可以节省1/3。 相似文献
992.
印制电路板孔加工精度因素分析 总被引:5,自引:0,他引:5
本文根据印制电路板数控钻床高精度、短行程、高速进给微小孔加工的特点,对印制电路板数控钻床的精度影响因素作了较为全面的分析,其中,既有影响机床精度的因素,如定位精度、动态特性、主轴动态精度与刚性,又有影响实际加工精度的因素,如工艺参数、刀具、工装的合理选择等。只有全面认识和了解精度影响因素,才能找到正确提高和控制精度的方法和措施,才能适应和满足PCB高密度、多层、小型化的发展求。本文在具体理论分析的基础上,并用实验验证,因此对全面提高数控钻床的精度具有较强的实际指导作用。 相似文献
993.
994.
995.
为了提高图像的分辨率,提高红外系统的探测距离和探测精度,满足多种条件下的使用要求,基于最新的非制冷型384288凝视型焦平面阵列探测器,设计了折射/衍射混合长波红外连续变焦光学系统。系统工作波长为8~12 m,F数1.5,变倍比25:1。设计过程中,系统引入衍射面构成折/衍射混合结构,校正色差和高级像差,减少了透镜的使用数量,简化了系统结构。最后利用CODE V 光学设计软件进行了优化设计和像质评价,设计结果表明,系统在探测器的Nyquist频率(20 lp/mm)处,所有变焦距位置和视场的MTF值均大于0.4,接近系统的衍射极限。系统具有变倍比大、分辨率高、像质好、结构简单等特点,可应用于众多光电探测领域。 相似文献
996.
在不考虑碰撞机制的情况下,研究了外加高频电磁场(泵波)下等离子体中Langmuir波和离子声波的增强以及带电粒子流的加速.基于流体力学方程,推导了描述等离子体参量不稳定性的振动方程,进一步得到描述带电粒子流加速的数学表达式和有质动力的数学表达式.结果表明,在等离子体参量不稳定性的激发过程中,Langmuir波和离子声波得以增强以及带电粒子流由于泵波与Langmuir波(离子声波)的耦合而加速;有质动力的产生是由于泵波与Langmuir波(离子声波)的耦合而且它是参量不稳定过程的策动力,另外有质动力不仅存在高频分量,还存在低频分量. 相似文献
997.
998.
999.
Zhao-Yang Yin Yang Chen Yang-Yang Zhang Yu Yuan Qian Yang Ya-Nan Zhong Xu Gao Jing Xiao Zhao-Kui Wang Jian-Long Xu Sui-Dong Wang 《Advanced functional materials》2023,33(33):2302199
Minimizing reverse bias dark current density (Jdark) while retaining high external quantum efficiency is crucial for promising applications of perovskite photodiodes, and it remains challenging to elucidate the ultimate origin of Jdark. It is demonstrated in this study that the surface defects induced by iodine vacancies are the main cause of Jdark in perovskite photodiodes. In a targeted way, the surface defects are thoroughly passivated through a simple treatment with butylamine hydroiodide to form ultrathin 2D perovskite on its 3D bulk. In the passivated perovskite photodiodes, Jdark as low as 3.78 × 10-10 A cm-2 at -0.1 V is achieved, and the photoresponse is also enhanced, especially at low light intensities. A combination of the two improvements realizes high specific detectivity up to 1.46 × 1012 Jones in the devices. It is clarified that the trap states induced by the surface defects can not only raise the generation-recombination current density associated with the Shockley–Read–Hall mechanisms in the dark (increasing Jdark), but also provide additional carrier recombination paths under light illumination (decreasing photocurrent). The critical role of surface defects on Jdark of perovskite photodiodes suggests that making trap-free perovskite thin films, for example, by fine preparation and/or surface engineering, is a top priority for high-performance perovskite photodiodes. 相似文献
1000.