磁场对电晕放电极间区域的影响

通过用两种磁场形式影响负电晕放电,研究了磁场对负电晕放电不同区域的影响。研究表明:磁场的应用可改变电晕区的放电强度,增加放电电流;磁场对荷电区的影响并不能改变放电电流的大小,揭示了放电电流增加的原因;磁场的应用加强电晕区内的电场强度,所以磁场的应用可使负电晕放电的起晕电压降低。     

统一电能质量调节器的Simulink仿真分析

介绍了统一电能质量调节器的结构原理,指出了其相对于传统有源电力滤波器的优势.采用dq0谐波检测法作为UPQC的检测方法,采用SVPWM控制法、滞环比较控制法分别作为UPQC串联侧、并联侧的控制方法,并在Simulink软件平台上对电压电流的检测及控制方法进行仿真实验.仿真结果表明了其检测和控制方法的正确性和有效性.     

程潮铁矿多阶段巷道开挖数值模拟

以程潮铁矿巷道面积坍塌,尤其是由断层破碎带造成的巷道跨冒破坏为工程背景,采用数值模拟计算的研究方法．着重分析断层破碎带对多阶段巷道稳定性的影响程度．采用国际先进计算软件FLAC3．3,对巷道有断层时无支护及锚喷网支护两种工况进行了数值模拟计算,计算结果表明：对关键部位进行喷锚网支护后,有效地抑制了巷道的围岩位移,减小了拉应力和塑性区的大小,提高了巷道的整体稳定性,达到了预期的效果．     

基于改进支持向量机的瓦斯涌出量预测

为了克服瓦斯涌出量预测传统模型存在泛化能力弱和预测精度低的缺点,基于改进粒子群优化支持向量机建立一种非线性的煤矿瓦斯涌出量预测新模型。用改进的粒子群优化算法对支持向量机的惩罚因子与核参数进行寻优,选取最佳参数,以最佳参数对给定的训练样本进行学习训练,得到系统输入输出之间依赖关系的估计,再由这种关系对未知输出做出预测,进而建立起新型支持向量机预测模型。仿真实验结果显示,与普通粒子群优化的支持向量机相比,改进算法可使预测值的最大误差降低3．86％,平均误差降低4．27％,即新模型能够克服传统预测模型人为选取参数的盲目性以及神经网络的过学习问题,从而提高瓦斯涌出量预测的精度。     

1~5轮LBlock的多项式表示及完全性分析

用统计测试方法分析密码算法的完全性存在误差。为此,利用符号计算软件Mathematica 7.0,以明文和密钥比特为自变量,得到LBlock分组密码第1轮~第5轮输出的多项式表达式,结果显示,LBlock第5轮输出的任何比特至多与45个明文比特、49个密钥比特有关,说明5轮LBlock还未达到完全性。     

HJ-1/CCD地表反照率估算及其与NDVI关系分析

参照TM地表反照率反演算法,建立了适用于HJ-1/CCD传感器估算地表反照率的算法。通过应用6S辐射传输模型建立查找表,对覆盖内蒙古自治区锡林浩特市的HJ-1/CCD数据进行大气校正,并根据反照率定义,回归分析得到可见光波段地表反照率;通过与地面实测数据进行对比分析,表明该算法估算得到的地表反照率精度较高,其最大相对误差为14.32%。同时,本文将估算结果与同时期NDVI进行拟合分析,得出地表反照率与NDVI存在较高的负相关关系。     

基于LD预测的车载自组网下一跳选择算法

在高速移动环境中,车载自组网的下一跳节点选择算法存在高丢包率的问题。为此,在贪婪算法的基础上,通过预测车辆节点的链路持续时间(LD)和数据发送时延,提出一种改进的下一跳节点选择算法。其中,转发节点根据邻居节点和自身的相对速度,预测该节点和当前节点间的链路持续时间,选择其值不小于待发数据的发送时延的邻居节点作为下一跳节点。仿真实验结果表明,改进算法可以明显降低贪婪算法的丢包率。     

基于结构化对等网络的高效分布式任务调度

提出与描述了一个基于结构化对等网络的高效分布式任务调度策略HDTS(High-Efficient Distributed Task Scheduling)。HDTS建立在结构化对等网络的应用层覆盖网络上,保证了系统的非集中性、可扩展性、自组织性,以及规模大的优点。HDTS把基于Chord风格的对等网络协议和容错及高效的多播调度策略结合起来,允许分布式计算的各种大量的子任务在对等网络的节点上高效的调度、分配、执行。除了支持主-从风格的并行计算外,系统允许具有数据依赖的分布式旅行商算法正确的执行,使系统具有通用性和开放性。测试结果表明:HDTS具有正确性与高效性,可以作为对等网络上计算资源高效共享与聚集的可行方案。     

ClO2消毒及消毒副产物的毒理学特性

随着生活水平的提高,使用高效低毒消毒剂已成为当务之急.ClO2是优良的氧化型消毒剂,ClO2对水中有机物的氧化降解以含氧基团的小分子化合物为主,即最终以无毒害作用的产物为主.因此ClO2在水处理中的应用越来越受到重视.但作为替代液氯的消毒剂,ClO2同样会产生副产物,其安全性同样要予以重视.     

偏压对MCECR溅射碳氮膜特性的影响

用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为 30 V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48 Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10-15m3/m,系数x接近于4/3.