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991.
992.
993.
提出一种新的低成本射频识别标签模拟前端,同时兼容ISO 14443A和ISO 14443B协议.相比于传统模拟前端,本设计采用面积更小的单线圈天线代替传统大面积多圈天线,使得标签的封装成本大幅度降低.考虑到单线圈天线的性能降低,设计了一个新的具有高效率低启动电压的电荷泵整流电路.整体电路采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺实现,测试结果显示电荷泵驱动120kΩ等效负载时,整流效率达到36%,输入交流幅度仅0.5V时,输出电压达到电路工作电压1V.标签的阅读距离可以达到22cm. 相似文献
994.
995.
996.
报道了一种基于商用0.15um赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用吸收回路和加电阻电容网络的直流偏置结构提高电路稳定性,用多谐振点方法和负反馈技术扩展带宽.测试结果表明,其噪声系数低于2.0dB,在31GHz处,噪声系数仅为1.6dB.在整个工作频带范崮内,增益大于26dB,输入回波损耗大于11dB,输出回波损耗大于13dB.36GHz处的ldB压缩点输出功率为14dBm.芯片尺寸为2.4mm×1mm. 相似文献
997.
研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降. 相似文献
998.
999.
基于SOA啁啾管理的连续可调谐色度色散补偿的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新型的可小范围连续调谐的色度色散(CD)补偿方案.该CD补偿方案包括一个半导体光放大器(SOA)和一段固定长度的色散补偿光纤(DCF).利用SOA的交叉相位调制(XPM)效应,通过调节SOA的偏置电流和控制脉冲光的强度,可以对进入SOA的光信号引入不同大小的附加啁啾量,从而可以利用固定长度的DCF得到补偿后的无啁啾光信号.实验中,实现了10 Gb/s可调谐CD补偿器,在无需替换DCF的情况下,实现了补偿范围为-40 ps/nm到60 ps/nm的连续可调谐CD补偿. 相似文献
1000.
本文针对带钢生产中“带钢尾端不好确认,打捆定位不准确”的瓶颈问题,首创性地运用计算机视觉检测技术,提出了一种新的带钢尾端自动定位控制系统。本系统由彩色摄像机、图像采集卡、PC机、PLC(可编程控制器)和执行机构组成。文中阐述了图像处理技术、PC机与PLC之间的通讯、PLC实现定位控制等关键问题。实践证明,系统使用后大大提了高定位的准确性和高效性,具有推广价值。 相似文献