逻辑与物理相结合的MCM划分神经学习方法

本文提出一种性能驱动的MCM划分神经学习方法．新算法具有如下特点：（1）允许功能设计和布图设计同时进行，（2）划分时，不仅考虑了模块间的逻辑关系，还考虑了MCM的版图结构．（3）具有芯片间连线数目最少和时钟周期最短双重优化目标．（4）能使连线尽可能产生在相邻近的芯片之间．（5）网络的结构合理，学习速度快．     

光纤环形延迟线陷波器最佳陷波的实现及PIIN的影响

本文研究了ＰＩＩＮ的时，频响应特性，得到了它作为陷波器的最佳陷波条件，提出了利用环路损耗调节器性能，实现最佳陷波特性的方法，采用该方法使ＦＯＲＤＬ的陷波深度达到了６５ｄＢ，同时，本文还研究限制ＦＯＲＤＬ最佳陷波特性实现的主要系统因素－相位感生的强度噪声（ＰＩＩＮ）给出其在单模条件下的频率特性，由此出发，分析了影响ＰＩＩＮ的几个因素，提出了抑制ＰＩＩＮ的三个途径：（１）采用极化控制器适当调节两个正交     

高性能PTCR电极浆料生产工艺的改进

通过增加分散剂松香的用量，提高了欧姆银浆的关键中间体材料银泥的质量稳定性。将压滤法应用于银泥洗涤工艺，既节省了设备投资，又避免了设备腐蚀。在欧姆银浆中掺入１０％的活性铝粉，降低了浆料成本，而且增强了浆料的工艺适应性。表层银浆的配制采用辊轧工艺替代球磨工艺，并对有机载体进行了调整，提高了生产效率，改善了膜层光洁度。     

固体激光器中尖峰调制的机理分析

建立了腔长调制的理论模型，通过线性化近似，导出光强调制深度近似解析解，解释了高频调制效果比低频调制好的实验现象，并且给出了确定调制参数的一般原则。     

精密相位激光测距仪的设计

本文在论述了精密相位激光测距的理论依据的基础上，着重对系统设计中的误差进行了较为深入的分析与讨论，并据此提出了小型相位式激光测距仪的设计方案及相位鉴别与统计处理的方法，最后进一步给出了提高系统精度的修正措施。     

分子振动态及其跃迁的激光相干控制

讨论了激光合成相干叠加态的原理及其性质 ,针对 XY2 型分子 ,证明了合成局域模振动的可行性 ,然后给出相干叠加态的跃迁几率特征 ,发现它仍表现出相干的特性 ,对之进行分析研究表明 ,分子的振动态具有可控性 ,态跃迁几率具有可控性。     

利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率

采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变，即“光电压”信号作为频率标准，对ＩｎＧａＡｓＰ长波长半导体激光器进行稳频。     

Nd:YAG激光微束切割大麦染色体及染色体片段的分离

以适当参数的ＮｄＹＡＧ激光微束切割大麦７Ｈ染色体后再利用微细玻璃针挑取了７ＨＳ端部片段并放入Ｅｐｐｅｎｄｏｒｆ管中，建立了一种激光微束与玻璃针结合使用微切割、微分离植物染色体片段的方法，为今后植物染色体特定区域ＤＮＡ的微克隆技术提供了一种新的方法     

Plasma immersion ion implantation for SOI synthesis: SIMOX and ion-cut

We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII) for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO₂ interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance.     

A 0.1-μm delta-doped MOSFET fabricated with post-low-energyimplanting selective epitaxy

A simple fabrication technology for delta-doped MOSFETs, named post-low-energy implanting selective epitaxy (PLISE) is presented. The PLISE technology needs no additional photo-lithography mask, deposition step or etching step even for CMOS devices. The only additional step is growing undoped epitaxial channel layers by UHV-CVD after the channel implantation. With this technology, delta-doped NMOSFETs with 0.1-μm gate length were successfully fabricated. By optimizing the epi-layer thickness and the channel doping level, short-channel effects are suppressed enough to achieve 0.1-μm gate length. Moreover, the junction capacitance at zero bias is reduced by 50%