两相电流互感器配电网零序电流构造方法

中性点非直接接地配电网大多只安装A，C两相电流互感器（TA），而现有单相接地故障选线方法基本都以零序电流为基础实现。如何在两相TA配电网中准确检测并隔离接地故障线路，成为长期困扰实际运行的技术难题。通过对暂态电流的频域和时域分析，找出B相暂态电流与A，C相暂态电流的对应关系，提出在A相和C相接地时由A相和C相暂态电流构造B相暂态电流，进而得到较精确零序电流的方法。通过大量仿真实验验证了所提出的构造方法的正确性。零序电流的成功构造为实现两相TA配电网单相接地故障选线提供了基础。     

与时俱进 加快发展高职教育 推动我国工业化快速发展

当前,我国正在实施工业化的发展战略,要加快工业化的发展,必须大力发展和加强高等职业教育。在高等职业教育发展上,要实现从注重量到既注重量更注重质的转变;在培养方式上,要实现从只重技能到既重视技能又重视可持续发展能力培养的转变;在培养目标上,要实现从培养学生能力到培养复合型人才的转变。     

利用手机模块实现无线公话的方法研究

本文论述了无线公话技术的实现原理，详细介绍了利用MCS8051系列单片机控制手机模块实现无线公话的方法，并给出了该类设备硬件各模块的功能描述以及关键部分软件的实现方法。     

新的载体媒介传递膜

总结了近几年研究和发展的几种载体媒介传递膜。与支撑液膜相比，这些膜具有好的稳定性和长的寿命。对某些物质，如重金属离子、小分子中性碳氢化合物、氨基酸等有高的选择性和通量。它们的传递机理为固定位置跳跃或移动和固定载体2种机理结合。这些研究有望在环境、生物等技术领域中应用。     

BioMEMS和人体植入式生物微系统

MEMS技术在医药科学技术的一个重要应用是植入人体内的生物微系统(BioMEMS)。该系统集微传感器、微驱动器、微流体系统、微光学系统及微机械元件于一体,用于体内器官的诊断、体内器官功能修复或替代,其治疗效果确切,已成为关系本世纪医学与人类健康进步的重要领域。本文介绍了近年来不同功能类别植入式BioMEMS的发展状况,说明了MEMS工艺、方法及材料在此领域的应用。     

基于Java RMI技术的大型机群监控系统的设计与实现

机群监控系统可有效的提高大型机群的可管理性和可用性。本文提出了一种基于JAVA RMI技术的机群监控系统模型，并给出其实现方法。该系统具有开发快速、可跨平台、易于扩展等特性。     

采用注视控制器实现复杂运动的仿真

注视控制器是3DS MAX软件的众多控件之一，它能使多个物体彼此间产生运动约束。通过使用注视控制器功能，笔者成功制作出八足爬壁式仿生机械昆虫的运动场景动画，并使该仿生机械昆虫各足的行走动作符合机械零件作平面复杂运动时所应遵守的正确运动规律。由此证明，3DS MAX软件注视控制器对正确模拟特殊机械装置的复杂运动可产生极大作用。     

延边青少年足球运动员反应时运动时测试分析

对延边朝鲜族自治州青少年足球运动员进行了反应时运动时测试，测试结果表明，锋卫89－90年龄组在反应时和准确性两项明显优于87－88年龄组，其差异分别为非常显著和显著水平，而87－88年龄组则运动时优于80－90年龄组，具有非常显著差异。守门员也类同于锋卫，89－90年龄组在反应时和准确性均优于87－88年龄组，但无显著差异，而87－88年龄组的运动时优于89－90年龄组，但也无显著差异。     

高能 X 射线工业 CT 技术的研究进展

目的 研究分析了国内外高能X射线工业CT技术的进展情况，方法 通过有关文献资料，对目前国际上主要的高能X射线工业CT技术及设备进行评述。结果和结论 对美国、德国等发达国家的高能X射线工业CT设备、线阵探测器、面陈探测器及重建算法进行了分析。     

Gate and drain currents in off-state buried-type p-channel LDDMOSFETs

The buried-type p-channel LDD MOSFETs biased at high positive gate voltage exhibit novel characteristics: (1) the ratio of the drain to gate currents is about 1×10^-3 to 5×10^-3; and (2) the gate and drain currents both are functions of only the gate voltage minus the n-well bias. Such characteristics are addressed based on the formation of the surface n ⁺ inversion layer due to the punchthrough of the buried channel to the underlying shallow p-n junction. The measured gate current is due to the Fowler-Nordheim tunneling of electrons from this inversion layer surface and the holes generated within the high-field oxide constitute the drain current. The n⁺ inversion layer surface potential is found to be equal to the n-well bias plus 0.55 V. As a result, both the oxide field and the gate and drain currents are independent of drain voltage