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151.
色用缓变光纤中交叉相位调制不稳定性分析   总被引:7,自引:2,他引:5  
杨爱玲  王晶等 《光电子.激光》2002,13(8):810-813,817
从非线性薛定谔方程出发得到了色散缓变光纤(DDF)中交叉相位调制(XPM)不稳定增益谱。研究了增益谱随入纤功率及光纤纵向色散参量的变化关系。结果表明:反常色散区的增益谱宽比正常色散区宽,且峰值增益高:DDF中XPM不稳定增益谱宽比常规光纤的宽,二者的比值随传输距离和光纤色散参量的乘积成指数增长;DDF的反常色散区是产生调制不稳定的较好的色散介质。  相似文献   
152.
灰度图像的子块压缩方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
从灰度图像的局部几何特性出发,把图像中像素灰度相近或相同的区域当作一个整体处理,从而达到图像压缩的目的。计算机仿真实验表明,该方法可以获得产高的压缩比和峰值信噪比,有效地消除方块效应,很好地保持目标细节,具有较高的实用价值。  相似文献   
153.
A hybrid finite element method/method of moments (FEM/MoM) technique is used to analyze a printed circuit board power bus structure where the source and observation points are in the near field. The FEM is used to model the lossy region between the planes of the board including the source. The MoM is used to model the region outside the planes and provide a radiation boundary condition to terminate the FEM mesh. Numerical results for a bridged power bus structure are compared with measurements. A nonphysical interior resonance of the electric field integral equation is observed. The problem can be avoided by using a hybrid technique based on a combined field integral equation  相似文献   
154.
The reduction of calcium sulfate to produce calcium sulfide is a part of the cyclic process for converting sulfur dioxide to elemental sulfur that is described in Part I. The kinetics of the hydrogen reduction of nickel-catalyzed calcium-sulfate pellets were investigated using a thermogravimetric analysis (TGA) technique at reaction temperatures between 1023 and 1088 K and hydrogen partial pressures between 12.9 and 86.1 kPa. The reactivity of nickel-catalyzed calcium-sulfate pellets was demonstrated by the conversion of 70 pct fresh nickel-catalyzed calcium sulfate to calcium sulfide in 20 minutes at 1073 K under a hydrogen partial pressure of 86.1 kPa. Furthermore, the reactivity remained relatively intact after ten cycles of reactions and regenerations. This observed characteristic of the pellets is important because the solids must be reusable for repeated cycles to avoid generating secondary pollutants. The nucleation and growth rate expression was found to be useful in describing the kinetics of the reaction, which had an activation energy of about 167 kJ/mol (∼40 kcal/mol) in all reaction cycles except for the first regenerated samples that were lower at 146 kJ/mol (35 kcal/mol). The reaction order with respect to hydrogen partial pressure was 0.22 in all cycles with the exception of the first regenerated sample for which it was 0.37.  相似文献   
155.
介绍了大庆油田近几年在套损井打通道加固技术方面取得的技术进步,在磨铣打通道技术上主要对钻铣工具的结构进行了优化设计及合理及合金刀块的优选组合,提高了磨铣效率,缩短了施工周期;在爆炸打通道技术中设计了安全隔爆装置,提高了施工的安全性,使爆炸扩径技术得到完善;Φ106mm密封加固技术的研制成功,取代了Φ100mm密封加固技术,为套损井修复后的完井工艺提供有效的技术支持,提出了大庆油田目前在套损井打通道加固方面存在的难题,结合国外在套损井打通道加固方面技术的新发展,对现有技术的局限性进行了分析,提出了今后技术攻关的方向。  相似文献   
156.
用面向对象方法建立人事信息系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用先进的面向对象设计方法开发了技术中心人事信息系统,采用E-R数据库建立了数据库逻辑模型,通过VFP语言设计了友好直观的用户使用界面。实践表明,新开发的人事信息系统速度快、容量大,操作性强,对实现信息管理标准化,尤其是人力资源的动态管理和科学决策具有很强的实用性。  相似文献   
157.
Dy3+激活的几种硼酸盐在VUV-VIS范围的光谱性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
赫泓  梁宏斌  王淑彬  苏锵  陶冶  巨新  侯雪颍 《核技术》2002,25(10):783-787
本文报道了SrAl2B2o7:Dy^3 、BaAl2B2O7:Dy^3 、SrAl3BO7:Dy^3 、La2CaB10O19:Dy^3 的紫外-真空紫外(UV-VUV)激发光谱和UV激发下的发射光谱。根据发射光谱讨论了Dy^3 离子在这几种基质中发光的黄蓝比(Y/B)。在VUV激发光谱中推测了Dy^3 的f-d跃迁及电荷迁移态(CTS)和基质吸收的位置。  相似文献   
158.
We present a new iterative alternating-direction-implicit finite-difference time-domain (ADI-FDTD) method. By recognizing the ADI-FDTD method as a special case of a more general iterative approach to solve the Crank-Nicolson (CN) FDTD scheme, the splitting error in ADI-FDTD can be reduced systematically. Numerical examples are used to illustrate the improved accuracy of this method.  相似文献   
159.
本文提出了一种基于电子现金的新型支付协议,该协议通过第三方实时核算客户拥有的电子现金,但不进行实时转账。协议模型较好地克服了现有在线支付的交易瓶颈问题以及离线支付中电子现金容易被重用、伪造或篡改的问题,在交易过程中有效地保证了安全性,并且实现了电子现金的原子性、匿名性、可分割性和可验证性。  相似文献   
160.
In this paper, RF noise in 0.18-mum NMOSFETs concerning the contribution of carrier heating and hot carrier effect is characterized and analyzed in detail via a novel approach that modulates the channel carrier heating and number of hot carriers using body bias. We confirm qualitatively a negligible role of hot carrier effect on the channel noise in deep-submicrometer MOSFETs. For a device under reverse body bias (Vb), even though the increase in hot carrier population is clearly characterized by dc measurements, the device high-frequency noise is found to be irrelevant to the increase in the channel hot carriers. Experimental results show that the high-frequency noise is slightly reduced with the increase in |Vb|, and can be qualitatively explained by secondary effects such as the suppression of nonequilibrium channel noise and substrate induced noise. The reduction of NFmin and Rn with the increase in |Vb| may provide a possible methodology to finely adjust the device high-frequency noise performance for circuit design  相似文献   
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