薄相屏闪烁的数值分析

本文在弱闪烁条件下，利用广泛适用于星际闪烁、行星际闪烁和电离层闪烁的薄相屏理论，以行星际闪烁为算例，对薄相屏闪烁进行了数值分析。结果表明：垂直于介质运动方向上的不规则结构的大小对闪烁有着重要的影响，直接表现在频谱的变化趋势和振荡幅度的不同。尤其是当小于Ｆｒｅｓｎｅｌ尺度时，数值计算表明此时没有闪烁发生。     

高质量的一级光栅1．55μmDFB激光器

本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—ＬＤ）。外延片成品率＞４０％。器件特性：２５℃时阈值电流２０ｍＡ，单面光功率＞１０ｍｗ，主边模抑制比ＳＭＳＲ达４３ｄＢ（λ／４相移光栅），谱线宽度△ν－２０ｄＢ＝０．３ｎｍ，调制速率＞１．８ＧＨｚ。可靠性测试显示：高温监测光谱稳定，２５°Ｃ时阈值退化率△Ｉｔｈ／ｔ＜０．３ｍＡ／ｋｈ，对应器件预估寿命将超过１０万ｈ。     

Suppression of boron penetration in p+ polysilicon gateP-MOSFETs using low-temperature gate-oxide N2O anneal

It has been reported that high-temperature (~1100°C) N₂ O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N₂O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO₂ interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO₂ interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate     

转变观念是润滑技术现代化的必要途径

探讨了国内润滑工作存在的问题，分析了近20年来润滑技术的发展状况，介绍了国内先进单位合理用油取得的效益和经验，提出用油现代化的看法。     

受干扰波相位测量的一种新方法

为了测量受噪声和谐波干扰的两个信号间的相位差，基于自适应带通滤波器（ABF）和测量信道交换技术，提出了一种新的测量方法。ABF采用可编程开关电容滤波器（PSCF）和锁相环，明显地抑制了噪声和谐波干扰，频率跟踪范围超过四个倍频程（0．5Hz-6kHz）。用微处理器控制4个开关来交换测量信道，可以基本上消除测量通道引入的附加相位移。两种方法结合提高了相位差的测量精度。实验说明了该测量方法的有效性，该方法也适合于被测信号为慢时变情况。     

钢筋混凝土连续曲线箱梁设计探索

以上海市沪闵路高架道路二期工程SW匝道曲线箱梁设计为例 ,对曲线梁的内力特点及调整方法作了初步探索。     

基于CAN总线的多点温湿度检测系统

本文介绍了基于CAN总线的多点温湿度检测系统的整体设计,详细介绍了各部分的组成.经过现场应用表明,设计合理,可靠性高.     

姬塬油田某井区油层特征分析及解释方法

G19井区为姬塬油田主力产建区域,其低阻油层成因复杂,类型多,近几年解释困难较多,解释符合率偏低。本文从该区低阻油层特征分析入手,总结出该区油藏特征规律,并归纳出适合该区的几种有效实用的测井解释方法。     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.