全文获取类型
收费全文 | 3351篇 |
免费 | 39篇 |
国内免费 | 1篇 |
专业分类
电工技术 | 120篇 |
化学工业 | 397篇 |
金属工艺 | 1570篇 |
机械仪表 | 32篇 |
建筑科学 | 16篇 |
矿业工程 | 1篇 |
能源动力 | 53篇 |
轻工业 | 88篇 |
水利工程 | 2篇 |
石油天然气 | 2篇 |
无线电 | 256篇 |
一般工业技术 | 271篇 |
冶金工业 | 429篇 |
原子能技术 | 55篇 |
自动化技术 | 99篇 |
出版年
2023年 | 6篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 17篇 |
2020年 | 13篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 18篇 |
2017年 | 17篇 |
2016年 | 32篇 |
2015年 | 15篇 |
2014年 | 37篇 |
2013年 | 111篇 |
2012年 | 105篇 |
2011年 | 92篇 |
2010年 | 61篇 |
2009年 | 101篇 |
2008年 | 121篇 |
2007年 | 105篇 |
2006年 | 98篇 |
2005年 | 83篇 |
2004年 | 80篇 |
2003年 | 105篇 |
2002年 | 124篇 |
2001年 | 126篇 |
2000年 | 101篇 |
1999年 | 126篇 |
1998年 | 242篇 |
1997年 | 210篇 |
1996年 | 157篇 |
1995年 | 99篇 |
1994年 | 103篇 |
1993年 | 162篇 |
1992年 | 157篇 |
1991年 | 136篇 |
1990年 | 51篇 |
1989年 | 38篇 |
1988年 | 32篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 41篇 |
1983年 | 25篇 |
1982年 | 17篇 |
1981年 | 20篇 |
1980年 | 15篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 12篇 |
1977年 | 6篇 |
1976年 | 15篇 |
1974年 | 4篇 |
1973年 | 5篇 |
排序方式: 共有3391条查询结果,搜索用时 640 毫秒
41.
Hozumi N. Suzuki H. Okamoto T. Watanabe K. Watanabe A. 《Dielectrics and Electrical Insulation, IEEE Transactions on》1994,1(6):1068-1076
Space charge distribution was measured, applying an electric field of >1 MV/cm to 3 mm thick XLPE cable insulation. Improving the conventional pulse electro-acoustic method, a new method was developed to measure space charge when applying HV to cables. Under high field, hetero charges were formed soon after voltage application, followed by an injection from the cathode. Then intermittent injections of charge packets from the anode took place. The space charge distribution kept changing without becoming stabilized. A simulation was done assuming hysteresis of the injection characteristics. The observed intermittent injection near the anode was qualitatively reproduced using computer simulation 相似文献
42.
H. Okamoto 《Journal of Phase Equilibria》1992,13(5):571-572
This work was supported by ASM International. Literature searched through 1987. Dr. Okamoto is the Alloy Phase Diagram Program
Category Editor for miscellaneos binary alloys. 相似文献
43.
44.
45.
46.
47.
48.
49.
Iwamuro N. Okamoto A. Tagami S. Motoyama H. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1991,38(2):303-309
The mechanisms of destructive failure of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) at short-circuit state are discussed. Results from two-dimensional numerical simulation of p-channel and n-channel IGBTs are presented. It is found that there are two types of destructive failure mechanisms: a secondary breakdown and a latchup. Which type is dominant in p-channel and n-channel IGBTs depends on an absolute value of forward voltage |V CE|. At moderately low |V CE|, the p-channel IGBT is destroyed by secondary breakdown, and the n-channel IGBT, by latchup. This is due to the difference of a type of flowing carrier crossing a base-collector junction of wide base transistor and ionization rates of electrons and holes 相似文献
50.
H Okamoto 《Journal of Phase Equilibria and Diffusion》1992,13(1):107-108