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181.
A new theory is developed in this paper to explain the collapse of current gain in multi-finger power AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBT's). The reasons behind this unwanted phenomenon are fully clarified using a simple model to investigate the thermo-electrical interaction between the fingers. The existence of multi-value equilibrium points in model's constitutive equations is shown to be the necessary condition for the collapse of current gain to appear. For a N-finger device, N different patterns of collapse exist. The criterion to select the global stable pattern is given. The method has been used to predict the collapse in AlGaAs/GaAs HBT's and the agreement is excellent. The method also predicts that the collapse can happen far earlier than is normally expected in multi-finger high-power devices. The influence of ballasting resistance and thermal resistance is also investigated 相似文献
182.
183.
新的钢铁工业结构与铁矿资源条件的能源优化模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
发展我国钢铁工业,资源和能源已经成为两个重要的制约因素。到本世纪末,我国钢产量达1.2亿t,所需资源必须有部分进口。本文论述了新的钢铁企业模型结构及采用部分进口废钢和铁矿石的能源优化问题。 相似文献
184.
相转移催化合成芳基烷基醚 总被引:7,自引:0,他引:7
报道了以四丁基溴化铵为相转移催化剂,简便地合成了10个芳基烷基醚,反应几乎是定量地快速进行。 相似文献
185.
5%甲·辛颗粒剂中甲拌磷和辛硫磷含量的测定 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用萃取、薄层层析等分离方法,选择合适的萃取剂、展开剂,经分离后,分别刮下甲拌磷和辛硫磷谱带,采用气相色谱法测定甲拌磷含量;采用液相色谱法测定辛硫磷含量。 相似文献
186.
通过将硝胺发射药实际的燃速方程,引入一维定常流、相对变量无量纲的经典内弹道计算程序,计算了RB型硝胺发射药在不同的压力指数及高压力指数区间下,弧厚、药量和挤进压力等起始条件变化对弹道性能的影响.结果表明,高压力指数能增加射击起始条件等参量对弹道性能的敏感性,而且随着高压力指数的增加及其区间的扩大而加剧.但也发现,在弹道性能上,密度为1.620g/cm~3的RB型硝胺发射药的燃速压力指数,对射击起始条件等参量的敏感性与三基药相接近,并未发现明显的弹道不一致性或安全性问题的征候. 相似文献
187.
钢管内径光电检测装置 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种检测细长钢管内径的光电检测装置。该装置利用线阵CCD作传感器,采用8031单片机作为主控制。 相似文献
188.
Sha Lu Yong Hu O'Hara M. Bogy D.B. Singh Bhatia C. Yiao-Tee Hsia 《IEEE transactions on magnetics》1996,32(1):103-109
Three sub-25 nm fly height sliders are presented for near contact recording. The designs are geared towards the goal of achieving 10 Gb/in 2 areal density. The optimization procedure presented shows promise for facilitating achievement of this goal. The dynamic simulations show the stability of these designs when disturbed from their steady state conditions 相似文献
189.
190.
Five-terminal silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs have been characterized to determine the threshold voltage at the front, back, and sidewall as a function of the body bias. The threshold voltage shift with the body bias at the front and back interfaces can be explained by the standard bulk body effect equation. However, the threshold voltage shift at the sidewall is smaller than predicted by this equation and saturates at large body biases. This anomalous behavior is explained by two-dimensional charge sharing between the sidewall and the front and back interfaces. An analytical model that accounts for this charge sharing by a simple trapezoidal approximation of the depletion regions and correctly predicts the sidewall threshold voltage shift and its saturation is discussed. The model makes it possible to measure the sidewall threshold even when it is larger than the front threshold voltage 相似文献