掺杂过渡金属氧化物对ZnO-B_2O_3-SiO_2玻璃的改性研究

采用高温熔融和过渡金属氧化物掺杂的方法,制备了掺杂不同过渡金属氧化物(Sb2O3、TiO2、CeO2、MnO2)的ZnO-B2O3-SiO2无铅玻璃。研究了所制玻璃的物理化学性能。结果表明:掺杂过渡金属氧化物后,ZnO-B2O3-SiO2玻璃的结构和封接性能得到较大改善,玻璃的耐水性提高1.5～2.0倍,线膨胀系数从60×10–7/℃降至40×10–7/℃。     

胆甾相液晶场致织构变化的偏光显微镜观测

介绍胆甾相液晶的织构和显示应用，给出胆甾相液晶几种织构的偏光显微镜图像。该图像对认识胆甾相液晶的各种织构，理解胆甾相液晶在双稳态显示器的应用原理具有一定的意义。     

偏振旋转的量子私有信息检索方案

私有信息检索是安全多方计算的重要问题。传统对称私有信息检索(SPIR)的很多假设在量子信息机制下非常脆弱,其安全性受到挑战。目前已提出的量子私有信息检索大都不易实施,该文提出基于偏振旋转的对称量子私有信息检索协议和实验方案。实验方案利用单光子的偏振旋转产生量子密文,不需要复杂的计算,便于硬件实现。协议的无条件安全性由量子力学Heisenberg测不准原理及不可克隆原理保证,并增加了用户诚实性检测,在所提出的非诚实合作模型下,非诚实用户的恶意行为不会造成隐私的泄露,在安全性、鲁棒性、抗第三方窃听等方面均优于经典环境的多种方案。     

基于机器人终端的VoIP通信系统的设计与实现

通过对VoIP的一些关键技术的研究,设计了一个小型局域网上的VoIP通信系统.该系统采用的是P2P(Peer-to-peer)网络传输模式,包括PC终端和嵌入式终端两部分.经测试,PC终端和嵌入式终端之间能够实现流畅的交互式语音应答,这对应用到机器人平台起到了积极地推进作用.     

集成化DAM变频电路设计

介绍了数字阵列雷达中DAM（数字阵列模块）内部的高度集成化的变频电路的设计思想,用于数字阵列雷达的收发变频通道,各项指标均满足系统要求,可达到常规分立元件电路的指标,讲述了采用MCM（多芯片组件）技术,结合电路优化集成设计,将有源变频器芯片、开关等器件集成于金属陶瓷结构的封装内,使得DAM的变频通道集成度得以大幅度提高。     

高精密度液体感光树脂凸版(液体版)的工艺研究

提出一种制作LCD用高精密度网点液体版的方案，通过接近式曝光理论分析和采用特殊的工艺方法，使得网点的浮雕结构合理，获得了高分辨率、高均匀性的网点结构，从而可印刷出不同厚度且膜层均匀的PI定向膜。     

基于Bootstrap 法的机载浮标搜潜系统作战效能指标分析

为解决试验样本量较少导致评估精度较低的问题,引入Bootstrap方法对机载浮标搜潜系统部分指标进行评估。介绍对于成败型指标的目标发现率评估步骤,并对一定环境下的潜艇目标发现率、浮标信号有效接收距离和某分机灵敏度这3项有代表性的指标进行仿真。分析结果说明该方法确实能够提高评估精度。     

非标准情况下衰荡光谱的理论分析

本文研究了当激光脉冲线宽远大于被测吸收物质的吸收线宽时,衰荡光谱满足的规律,以及在这种情况下,测量灵敏度的大小。     

Mobility Management for Hierarchical Wireless Networks

In this paper, we consider the mobility management in large, hierarchically organized multihop wireless networks. The examples of such networks range from battlefield networks, emergency disaster relief and law enforcement etc. We present a novel network addressing architecture to accommodate mobility using a Home Agent concept akin to mobile IP. We distinguish between the physical routing hierarchy (dictated by geographical relationships between nodes) and logical hierarchy of subnets in which the members move as a group (e.g., company, brigade, battalion in the battlefield). The performance of the mobility management scheme is investigated through simulation.     

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)