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11.
Zhibin Xiong Haitao Liu Chunxiang Zhu Sin J.K.O. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2005,52(12):2629-2633
In this paper, a new polysilicon CMOS self-aligned double-gate thin-film transistor (SA-DG TFT) technology is proposed and experimentally demonstrated. The self-alignment between the top- and bottom-gate is realized by a backlight exposure technique. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick source/drain region. Experimental results show that this technology provides excellent current saturation due to a combination of the effective reduction in the drain field and the full depletion of the ultrathin channel. Moreover, for n-channel devices, the SA-DG TFT has a 4.2 times higher on-current (V/sub gs/=20V) as compared to the conventional single-gate TFT. Whereas for the p-channel devices, the SADG TFT has a 3.6 times higher on-current (V/sub gs/=-20V) compared to the conventional single-gate device. 相似文献
12.
用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。 相似文献
13.
控轧技术在H型钢生产中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
根据钢板的控轧经验,结合H型钢轧制的特点分析控轧在轧制中运用的具体问题,制定H型钢控轧工艺方案。介绍了实际应用情况,并提出改进的措施。 相似文献
14.
15.
纳米聚N-异丙基丙烯酰胺微凝胶的光引发聚合 总被引:7,自引:0,他引:7
选择具有温敏性的高分子单体N-异丙基丙烯酰胺(N-isopropylacrylamide,NIPAM)为主单体,N,N′-亚甲基双丙烯酰胺(methylenebisacrylamide,MBA)为交联剂,运用光引发无皂乳液聚合的方法合成出粒径小于100nm的高分子微凝胶,并研究了在改变体系组成和条件时微凝胶粒径的变化。结果显示,在乳化剂临界胶束浓度以下,随着乳化剂浓度的提高,微凝胶粒子的粒径不断关小且趋向稳定;相比于热引发,产生的微凝胶具有较高的单分散性而且粒径较小。 相似文献
16.
聚碳硅烷的分子量分布与可纺性研究 总被引:6,自引:1,他引:5
阐述了聚碳烷的合成及其分子量分布,讨论了高低分子含量对聚碳硅烷熔点及可纺性的影响,而且提出了分子量分布的控制标准与方法。 相似文献
17.
18.
对屏蔽电泵在非设计流量下工作存在较大的轴向力不平衡,造成前端轴承磨损严重进行了分析。在不降低效率的情况下,在屏蔽电泵的泵头加入平衡盘使轴向力得到平衡,并取得了满意的效果。 相似文献
19.
半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体晶圆制造企业是资本密集、技术密集型产业,晶圆制造厂也是公认生产最为复杂的工厂之一。产品更新换代快、市场竞争激烈等特点使得投资者对设备产能和设备利用率高度重视。这已不仅仅是技术问题,而是生产制造过程管理的问题。本文介绍了半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法。 相似文献
20.
钱先友 《苏州科技学院学报(工程技术版)》2002,15(1):87-89
文章介绍了不确定度的定义及其一般计算公式,通过具体实例介绍了实验后不确定度的计算和实验前的误差估计。并对有多种可能的实验方案,利用误差估计的方法,选择出最佳的实验方案,使其不确定度最小。 相似文献