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MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。 相似文献
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保偏双光纤准直器的研究与设计 总被引:4,自引:1,他引:4
从理论分析了光在自聚焦透镜中的传播性质,进而提出了保偏双光纤准直器的设计和研制,实验结果表明。该保偏双光纤准直器具有良好的插损,回损等性能,并且能成功的运用于偏振光合束器中。 相似文献
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提出了一个用于SPICE模拟高频互连 应的PCL互连电路模型,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型,对频率达1000MHz时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析,并指出了抑制互连效应的技术途径。 相似文献
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