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The ion energy during electron cyclotron resonance (ECR) plasma hydrogenation is found to have a strong effect on both the effective diffusivity and solubility of hydrogen in n+ and p+ GaAs. For fixed plasma exposure conditions (30 min, 250°C) the diffusion depths for -150 V acceleration voltage are ~50 and ~100% larger, respectively, in p+- and n+-GaAs compared to 0 V acceleration voltage. The smaller incorporation depths at lower ion energy coincide with much larger peak hydrogen concentrations and higher apparent thermal stability of passivated dopants 相似文献
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本文提出了一个圆片规模布局算法,它是国外一个相应算法的改进形式,区别在于利用力定向布局法的方式不同。在相对位置阶段,该算法利用布局的层次特性将需确定所有电路元件相对位置的问题缩减至仅需确定宏电路元件相对位置的问题;在实际位置阶段,采用分治策略和取消前阶段层次划分的方式回避了需确定任意元实际位置的问题.其时间复杂度远低于国外相应算法. 相似文献
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107.
用扫描电镜、金相显微镜观察分析了80钢盘条拉拔断裂的断口,并对盘条进行了理化检验分析。结果表明,盘条组织中较多的网状二次渗碳体是盘条在拉拔过程中脆断的主要原因。 相似文献
108.
关于生物系统超微弱发光的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
生物系统存在超微弱光子辐射现象。通过一系列实验研究,我们认为,这种光子辐射既有低水平化学发光的性质,又有受激辐射的性质,是受激的低水平化学发光。 相似文献
109.
试样经草酸、双氧水分解后,以盐酸羟胺破坏掉多余双氧水。以标准样品作参比,在硫酸-柠檬酸介质中,用钼酸铵显色,抗坏血酸还原,生成稳定的硅钼蓝。此方法可测定1.0%以下的硅,具有快速、准确、灵敏度高等优点。 相似文献
110.
Pearton S.J. Ren F. Katz A. Fullowan T.R. Abernathy C.R. Hobson W.S. Kopf R.F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1992,39(1):154-159
The use of rapid isothermal processing (RIP) is detailed for each of the three annealing steps in the fabrication of heterostructure-based devices such as heterojunction bipolar transistors (HBTs). RIP can be used for the alloying of ohmic metal contacts, annealing of ion-bombarded regions for device isolation or parasitic capacitance reduction, and for conventional implant activation annealing. High-speed (f T=65 GHz) HBTs were achieved using RIP for all of the required heating steps. The authors compare the use of several types of silicon carbide-coated graphite susceptors for eliminating slip formation on 2- and 3-in-diameter GaAs wafers during high-temperature implant activation annealing 相似文献