硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响

SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素.     

一种新型有机染料HEASPS的激光上转换和光限幅性能

报道了一种新型上转换染料———反式 4 [4’ (N 羟乙基 N 乙基胺基 )苯乙烯基 ] N 甲基吡啶 对甲苯磺酸盐(trans 4 [4’ (N hydroxyethyl N ethylamino)styryl] N methylpyridiniump toluenesulfonate ,简称HEASPS)DMF溶液的激光上转换性质和光限幅性质。用Z 扫描技术测得其双光子吸收截面为σ2 =4.7× 10 -4 8cm4 ·s/photon ,研究了它在DMF溶剂中的线性吸收、单光子荧光、双光子荧光和双光子激射特性 ,用再吸收效应解释了双光子荧光峰相对单光子荧光峰的红移现象 ,该染料的激射和再吸收现象相互竞争导致了双光子激射峰相对于双光子荧光峰的蓝移现象。在 10 6 4nm皮秒脉冲激光的激发下 ,可得强烈的 6 2 6nm上转换激射光 ,上转换效率最高为 15 .5 % ,从抽运光到激射光的净转换效率为 2 6 %。该染料的DMF溶液表现出明显的光限幅特性     

SoC仿真验证中多核技术的研究与应用

随着SoC设计规模的日益增大,结构逐渐复杂,仿真验证已经成为Soc设计过程中重要的环节,其所需时间往往成为整个设计周期的瓶颈,因而研究和应用能够加快验证仿真速度的技术变得愈发重要。Synopsys公司的仿真工具VCS所提供的多核技术就是利用目前计算机所拥有的多个处理器核并行工作,以达到对仿真速度的提升。通过在实际项目中分析和使用多核技术中的设计级并行仿真方法,证明了该多核技术的可行性和有效性。     

远程健康监控系统的分析

本文首先分析了远程健康监控系统的可行性及国内外的技术架构,然后提出了一套基于嵌入式的家庭远程健康监控系统,该系统利用带有蓝牙功能的健康医疗设备终端实现血压、血氧、血糖等健康数据采集,通过网络传递给远端数据中心,并对健康数据进行预分析和存储,专家、医生定期查看数据中心的数据并给予健康指导建议。     

新疆拜城县波孜果尔A型花岗岩矿物的背散射和阴极发光特征

利用电子探针背散射(BSE)及阴极发光(CL)对波孜果尔A型花岗岩的矿物学特征进行了研究。结果表明,波孜果尔A型花岗岩主要造岩矿物包括石英、钠长石、钾长石、霓石、钠铁闪石和铁叶云母。副矿物包括锆石、烧绿石、钍石、萤石、独居石、氟碳铈镧矿和磷钇矿等。锆石CL图像表明,锆石具有黑核白边结构。     

对SoC芯片全面验证的仿真结构的研究

研究构成仿真环境的策略及软硬件协同验证环境的接口实现,介绍了用于功能和性能验证的软件伪随机测试生成方法.该方法对SoC和复杂的板机系统进行可测性设计的优化验证,大大降低测试成本,缩短了系统开发周期.     

微波组件中多层陶瓷电容器装联工艺研究

多层陶瓷电容器(MLCC)在微波模块或组件电子装联焊接过程中,经常出现裂纹、断裂故障。通过模拟MLCC多种焊接方式,制备样品,进行DPA分析,发现目前常用的手工焊接方式会使MLCC产生不同程度的裂纹缺陷。这些裂纹在后续的环境试验中将不断扩大,从而导致产品失效。分析了MLCC裂纹产生的原因和机理,给出了MLCC无损伤的焊接方式。     

基于RFID、GPS、GPRS的物流追踪系统的研制

介绍了一种基于RFID、GPS、GPRS技术的物流追踪系统.该系统采用GPRS数据传输方式结合上位机监控管理,采用低功耗控制芯片STM32F103RBT融合了GPS技术、GPRS技和ARM等工控领域的技术,实现对物流环节中物品的实时追踪,确保物流环节物流不会丢失和替换.     

LPC1768数据校验加密电路研究与设计

网络通信信息的完整性和安全性对于用户来说越来越重要,为探究以硬件电路方式校验、加密网络通信信息,基于LPC1768芯片、AMS1117芯片、CH340G芯片和KSZ8041NL芯片,设计了数据校验加密电路、DC/DC电路、TTL转USB电路、以太网通信电路,开发了USB接口通信程序、数据校验程序、数据加密程序、以太网通信程序。以模拟北斗和通信信息为例,实现了对模拟信息的校验、加密、解密以及USB接口通信和网络通信测试工作。在整个过程中,保证了模拟信息的完整性、安全性,所设计电路具有一定的实际应用价值。     

一种低电压的CMOS带隙基准源

设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源，采用了1．0V／0．18μmCMOS工艺。该电路利用电阻分压和高阶温度补偿，达到降低温度率数的目的，并具有好的电源抑制比。SPICE仿真结果表明，在0℃-100℃范围内度可达到18ppm/℃，其电源抑制比可达到62dB。