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41.
文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。  相似文献   
42.
针对均匀圆阵存在一般阵列误差的情况,提出一种信号二维方向角估计方法.基于均匀圆阵的阵列流形和阵列输出的协方差矩阵,采用加权总体最小二乘法估计信号二维方向角.并给出了解整周期性模糊的方法.计算机仿真表明了此方法估计精度高,对阵列误差鲁棒性强,并且各项性能都接近于CRB.  相似文献   
43.
In this letter, we introduce and investigate a new problem referred to as the All Hops Shortest Paths (AHSP) problem. The AHSP problem involves selecting, for all hop counts, the shortest paths from a given source to any other node in a network. We derive a tight lower bound on the worst-case computational complexities of the optimal comparison-based solutions to AHSP.  相似文献   
44.
聚合物熔体的非等温平板收缩流动的数值模拟   总被引:6,自引:0,他引:6  
用有限元法模拟了Carreau流体在4:1平板收缩口模中的非等温挤出流动,采用3节点的三角形单元对速度、压力和温度进行等阶插值,运用特殊的罚函数处理流体的不可压缩条件,解决了压力场的数值振荡问题,并用改进的Newton迭代法对非线性方程进行求解,成功地计算了Carreau流体在平板收缩流动中的速度、压力、粘度以及应力的分布,同时得到温度场的分布,计算的应力分布与实验的结果及Renardy的分析结构相符。  相似文献   
45.
基于均匀圆阵的信号二维方向角互相关估计   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
针对复值乘性和加性噪声同时存在的情况,提出一种基于均匀圆阵的信号二维方向角互相关估计方法.本文推导出互相关估计公式,分析了估计的统计性能,给出了最优参数选择原则.在不改变均匀圆阵阵列流形的情况下,此方法抑制了信号中的乘性和加性噪声,且计算量小.计算机仿真证明了此方法的有效性.  相似文献   
46.
一种PDMS薄膜型微阀的制备与性能分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过厚胶光刻工艺在硅片上制备SU-8胶模板,利用该模板制备了高分子聚合物PDMS(Polvdimethvlsiloxane,聚二甲基硅氧烷)微流道和薄膜结构。通过对不同结构的两层PDMS的不可逆粘接得到一种简单的阀结构,在外加气源压力作用下薄膜产生变形实现对微流道的控制。实验测量了微阀的控制气源压力与被控制液体流量之间的关系,说明膜阀的开闭性能良好。根据弹性薄膜的变形理论,对影响微阀性能的参数进行了分析,并提出了几种可行的用于薄膜微阀控制的方法。  相似文献   
47.
张俊  石功军  王中平 《声学技术》2003,22(4):297-299
文章主要叙述了信息处理过程中的分类技术,该技术在石油化工生产过程的优化控制中,为信息的正确识别和处理起了相当关键的作用。  相似文献   
48.
通信性能评估的仿真实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了流量控制和差错控制对通信性能的综合影响,着重分析了停止-等待协议和连续ARQ协议的优缺点,讨论了信道利用率和帧长的关系。介绍了几种多点接人技术的基本原理,如CSMA和CSMA/CD,并给出了各自相应的性能仿真曲线。所设计的通信性能评估实验,仿真界面形象丰富,与实验知识点紧密结合,可以大大提高实验教学的效率和质量。  相似文献   
49.
提高深井硬地层钻井速度技术难点及对策   总被引:3,自引:2,他引:1  
乌龙1井地层为南方海相沉积,地层古老、岩石硬度大、研磨性强、可钻性差、地层倾角大(最大为80°)井斜难以控制、蹩跳钻严重,制约了该地区深井钻井速度。文章介绍了解决提高钻井速度这一瓶颈问题,从深井优快钻井及其配套技术、硬地层钻进的钻头优选、优化钻井参数、引用新技术、新工艺、新工具等方面进行了探索,钻井速度有了大幅度地提高,对类似井具有一定的借鉴作用。  相似文献   
50.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
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