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实验考察了胜利孤东稠油井下催化水热裂解和乳化/催化水热裂解降黏效果。所用催化剂为水溶性铁镍钒体系,Fe3+∶Ni2+∶VO4+=5∶1∶1,100 g稠油与30 g 0.5%催化剂水溶液在240℃反应24小时。原始黏度(50℃)11.0和8.36 Pa.s的两种稠油裂解并静置除水后,黏度降低76.2%和75.6%,室温放置60天后降黏率下降小于3个百分点,气相色谱显示裂解后轻组分明显增加,红外光谱显示稠油组分发生脱羧反应且芳环数减少。讨论了稠油催化水热裂解反应机理。所用化学助剂JN-A在油水中均可溶,耐温达250℃,耐矿化度达50 g/L,其水溶液以30∶100的质量比与稠油混合时形成低黏度的O/W乳状液。当水相含1.0%JN-A和0.5%催化剂时,两种稠油水热裂解后的反应混合物为O/W乳状液,黏度仅为319和309 mPa.s,静置除水后的稠油降黏率增加到86.5%和87.3%,其中的轻组分含量进一步增加。该井下乳化/催化水热裂解复合降黏法成功地用于孤东两口蒸汽吞吐井,稠油井作业后初期采出的原油黏度由~9 Pa.s降低到1 Pa.s左右,随采油时间延长而逐渐升高,约50天后超过4Pa.s。图2表6参5。 相似文献
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Daniela M. Nevskaia Maria Luisa Rojas Cervantes Antonio Guerrero Ruíz Juan de Dios Lpez Gonzlez 《Journal of chemical technology and biotechnology (Oxford, Oxfordshire : 1986)》1995,63(3):249-256
Adsorption of Triton X-100 on various silica substrates has been investigated. A number of solids, including a natural quartz, this quartz washed with HCl acid and subsequently heated at 1273 K; two aerosils and one Kieselgel silicas were studied. These solids exhibit surface areas in the range of 5 to 430 m2 g?1. All the Triton adsorption isotherms display an S-shape at the adsorption temperatures studied (298 and 308 K). It has been found that the pretreatments of natural quartz (by water washing, impurities removed by acid and/or high temperature calcination) affect considerably the amounts of TX-100 adsorbed. Measurements of surface composition have been made by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) with particular emphasis on the presence of impurities and on the number of OH groups at the surface of the samples. The nature of the surface hydroxyl has also been studied by infrared spectroscopy. Furthermore, the specific number of hydroxyl groups on the surface of the silica samples has been determined by thermogravimetric analysis. Finally an attempt to correlate solid surface characteristics with adsorption isotherms has been developed. 相似文献
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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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