首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   33739篇
  免费   2328篇
  国内免费   1233篇
电工技术   1516篇
综合类   1934篇
化学工业   6002篇
金属工艺   1584篇
机械仪表   1900篇
建筑科学   3034篇
矿业工程   620篇
能源动力   1055篇
轻工业   2063篇
水利工程   487篇
石油天然气   1846篇
武器工业   212篇
无线电   4098篇
一般工业技术   4414篇
冶金工业   1840篇
原子能技术   436篇
自动化技术   4259篇
  2024年   128篇
  2023年   465篇
  2022年   812篇
  2021年   1134篇
  2020年   869篇
  2019年   740篇
  2018年   811篇
  2017年   960篇
  2016年   875篇
  2015年   1124篇
  2014年   1454篇
  2013年   1875篇
  2012年   1962篇
  2011年   2132篇
  2010年   1787篇
  2009年   1798篇
  2008年   1751篇
  2007年   1729篇
  2006年   1775篇
  2005年   1608篇
  2004年   1102篇
  2003年   992篇
  2002年   981篇
  2001年   833篇
  2000年   909篇
  1999年   985篇
  1998年   967篇
  1997年   786篇
  1996年   788篇
  1995年   647篇
  1994年   509篇
  1993年   456篇
  1992年   316篇
  1991年   232篇
  1990年   237篇
  1989年   164篇
  1988年   138篇
  1987年   95篇
  1986年   78篇
  1985年   58篇
  1984年   48篇
  1983年   34篇
  1982年   32篇
  1981年   20篇
  1980年   19篇
  1979年   10篇
  1977年   10篇
  1976年   12篇
  1973年   8篇
  1970年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
通过实例简述了扎机主传动直流电动机通风冷却系统的风机选择原则,方法及其风机房,风机基础和通风管略的设计与应用。  相似文献   
102.
研究以壳聚糖(Cs)作为高分子金属催化剂载体,制得负载稀土金属化合物的高分子金属催化剂,应用于环氧乙烷(BO)和环氧丙烷(PO)的共聚合反应.研究发现以三异丁基铝(Al(i-Bu)3)为助催化剂,乙酰丙酮(Acac)为第三组分时,该体系的催化活性高达192 kg*copolymer/mol*Y,比非负载型稀土催化体系活性提高1个数量级以上.环氧乙烷和环氧丙烷的竞聚率r 1(EO)、r 2(PO)分别为2.75±0.02和0.55±0.01;并用13C-NMR谱和DSC谱对共聚物结构进行了表征.  相似文献   
103.
添加物对Fe_2O_3超微粒的稳定作用   总被引:4,自引:0,他引:4  
粒子的尺寸直接关系着气敏元件性能的好坏.为了防止Fe2O3超微粒在气敏元件烧结过程中长大,我们在纯Fe2O3中掺入5mol%碱土金属离子,利用XRD和TEM系统研究了掺杂物对Fe2O3超微粒子的稳定作用,并对由掺杂引起的Fe2O3电学性质的变化作了初步探讨.  相似文献   
104.
Li HY  Zhou SM  Li J  Chen YL  Wang SY  Shen ZC  Chen LY  Liu H  Zhang XX 《Applied optics》2001,40(34):6307-6311
A method, believed to be new, to simulate Drude parameters for collective oscillation of the free carriers in metallic films is proposed. Plasma resonance frequency and relaxation were simulated simultaneously from both the real and the imaginary parts of the dielectric function of a metallic film after consideration of their correlation in the Drude model. As examples, the contributions of the electrons in Ag films and of the free carriers in metallic silicide, NbSi(2) and TaSi(2), films have been studied.  相似文献   
105.
106.
107.
A pseudomorphic Al0.5Ga0.5As/In0.25Ga0.75As/GaAs asymmetric quantum wire (QWR) structure was grown on GaAs V-grooved substrate by low pressure metal organic vapor phase epitaxy. The formation of crescent shaped QWRs at the bottom of the V-grooves was confirmed by both transmission electron microscopy and photoluminescence (PL) spectra. The temperature dependence of PL spectra demonstrated a fast decrease of the sidewall quantum well PL intensity with increasing temperature, which originates from relaxation of carriers from well to wire region. The self-aligned dual implantation technique was successfully used to selectively disable the adjacent quantum structures. Decrease of the PL intensity of QWR at 8 K was observed after selective implantation, which resulted from a decreased number of carriers relaxed from adjacent quantum structures.  相似文献   
108.
The carrier screening effect occurs commonly in dielectric materials. It reduces the electric potential gradient, thus negatively affecting the functionality of resistive random access memory (RRAM) devices. An Au/ZnO film/Al-doped ZnO device fabricated in this work exhibited no resistive switching (RS), which was attributed to the carrier screening effect. Therefore, annealing was used for alleviating the screening effect, significantly enhancing the RS property. In addition, different on/off ratios were obtained for various bias values, and the screening effect was accounted for by investigating electron transport mechanisms. Furthermore, different annealing temperatures were employed to modulate the free carrier concentration in ZnO films to alleviate the screening effect. The maximal on/off ratio reached 105 at an annealing temperature of 600 °C, yielding the lowest number of free carriers and the weakest screening effect in ZnO films. This work investigates the screening effect in RS devices. The screening effect not only modulates the characteristics of memory devices but also provides insight into the mechanism of RS in these devices.
  相似文献   
109.
介质薄膜的透射光谱测量及其光学参数的分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍介质薄膜透射光谱的测量以及基于分析薄膜透射光谱的计算薄膜光学参数的方法。对制备在玻璃基板上的二氧化钛、二氧化硅和氧化锌薄膜进行了可见光谱区的透射比测量,并用包络线方法和最优化方法对这些透明薄膜的光学参数进行了计算和分析。着重讨论了最优化方法在分析薄膜光学参数中的应用及其误差分析。此外,还对包络线方法和最优化方法进行了比较。  相似文献   
110.
沈耀国  范宝殿 《化工时刊》2008,22(11):45-46
介绍了巨磁电阻效应的发展现状,主要研究了有关钙钛矿结构L1-yCyMnO3(L=a3+,Pr3+,Nd3+等稀土离子;C=Ca2+,Sr2+,Ba2+等二价碱土金属离子)体系的制备方法及其特点,并对各种方法制备的样品特性进行了比较。对材料研究目的的不同,需要不同特性的样品,本研究可以对制备方法的选择提供一个参考。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号