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101.
102.
研究以壳聚糖(Cs)作为高分子金属催化剂载体,制得负载稀土金属化合物的高分子金属催化剂,应用于环氧乙烷(BO)和环氧丙烷(PO)的共聚合反应.研究发现以三异丁基铝(Al(i-Bu)3)为助催化剂,乙酰丙酮(Acac)为第三组分时,该体系的催化活性高达192 kg*copolymer/mol*Y,比非负载型稀土催化体系活性提高1个数量级以上.环氧乙烷和环氧丙烷的竞聚率r 1(EO)、r 2(PO)分别为2.75±0.02和0.55±0.01;并用13C-NMR谱和DSC谱对共聚物结构进行了表征. 相似文献
103.
104.
Li HY Zhou SM Li J Chen YL Wang SY Shen ZC Chen LY Liu H Zhang XX 《Applied optics》2001,40(34):6307-6311
A method, believed to be new, to simulate Drude parameters for collective oscillation of the free carriers in metallic films is proposed. Plasma resonance frequency and relaxation were simulated simultaneously from both the real and the imaginary parts of the dielectric function of a metallic film after consideration of their correlation in the Drude model. As examples, the contributions of the electrons in Ag films and of the free carriers in metallic silicide, NbSi(2) and TaSi(2), films have been studied. 相似文献
105.
106.
Lithium‐Ion Batteries: Excimer Ultraviolet‐Irradiated Carbon Nanofibers as Advanced Anodes for Long Cycle Life Lithium‐Ion Batteries (Small 38/2016) 下载免费PDF全文
107.
Liu XQ Lu W Shen SC Tan HH Jagadish C Zou J 《Journal of nanoscience and nanotechnology》2001,1(4):389-392
A pseudomorphic Al0.5Ga0.5As/In0.25Ga0.75As/GaAs asymmetric quantum wire (QWR) structure was grown on GaAs V-grooved substrate by low pressure metal organic vapor phase epitaxy. The formation of crescent shaped QWRs at the bottom of the V-grooves was confirmed by both transmission electron microscopy and photoluminescence (PL) spectra. The temperature dependence of PL spectra demonstrated a fast decrease of the sidewall quantum well PL intensity with increasing temperature, which originates from relaxation of carriers from well to wire region. The self-aligned dual implantation technique was successfully used to selectively disable the adjacent quantum structures. Decrease of the PL intensity of QWR at 8 K was observed after selective implantation, which resulted from a decreased number of carriers relaxed from adjacent quantum structures. 相似文献
108.
Yihui Sun Xiaoqin Yan Xin Zheng Yong Li Yichong Liu Yanwei Shen Yi Ding Yue Zhang 《Nano Research》2017,10(1):77-86
The carrier screening effect occurs commonly in dielectric materials. It reduces the electric potential gradient, thus negatively affecting the functionality of resistive random access memory (RRAM) devices. An Au/ZnO film/Al-doped ZnO device fabricated in this work exhibited no resistive switching (RS), which was attributed to the carrier screening effect. Therefore, annealing was used for alleviating the screening effect, significantly enhancing the RS property. In addition, different on/off ratios were obtained for various bias values, and the screening effect was accounted for by investigating electron transport mechanisms. Furthermore, different annealing temperatures were employed to modulate the free carrier concentration in ZnO films to alleviate the screening effect. The maximal on/off ratio reached 105 at an annealing temperature of 600 °C, yielding the lowest number of free carriers and the weakest screening effect in ZnO films. This work investigates the screening effect in RS devices. The screening effect not only modulates the characteristics of memory devices but also provides insight into the mechanism of RS in these devices. 相似文献
109.
介质薄膜的透射光谱测量及其光学参数的分析 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍介质薄膜透射光谱的测量以及基于分析薄膜透射光谱的计算薄膜光学参数的方法。对制备在玻璃基板上的二氧化钛、二氧化硅和氧化锌薄膜进行了可见光谱区的透射比测量,并用包络线方法和最优化方法对这些透明薄膜的光学参数进行了计算和分析。着重讨论了最优化方法在分析薄膜光学参数中的应用及其误差分析。此外,还对包络线方法和最优化方法进行了比较。 相似文献
110.
介绍了巨磁电阻效应的发展现状,主要研究了有关钙钛矿结构L1-yCyMnO3(L=a3+,Pr3+,Nd3+等稀土离子;C=Ca2+,Sr2+,Ba2+等二价碱土金属离子)体系的制备方法及其特点,并对各种方法制备的样品特性进行了比较。对材料研究目的的不同,需要不同特性的样品,本研究可以对制备方法的选择提供一个参考。 相似文献