首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   38852篇
  免费   3233篇
  国内免费   1556篇
电工技术   2281篇
技术理论   1篇
综合类   2646篇
化学工业   6638篇
金属工艺   2073篇
机械仪表   2083篇
建筑科学   2985篇
矿业工程   962篇
能源动力   1275篇
轻工业   2577篇
水利工程   699篇
石油天然气   2017篇
武器工业   219篇
无线电   4622篇
一般工业技术   4824篇
冶金工业   1964篇
原子能技术   443篇
自动化技术   5332篇
  2024年   109篇
  2023年   567篇
  2022年   938篇
  2021年   1495篇
  2020年   1064篇
  2019年   980篇
  2018年   1032篇
  2017年   1156篇
  2016年   1082篇
  2015年   1397篇
  2014年   1852篇
  2013年   2247篇
  2012年   2387篇
  2011年   2515篇
  2010年   2194篇
  2009年   2192篇
  2008年   2164篇
  2007年   2020篇
  2006年   2051篇
  2005年   1745篇
  2004年   1355篇
  2003年   1520篇
  2002年   1841篇
  2001年   1477篇
  2000年   1023篇
  1999年   953篇
  1998年   789篇
  1997年   647篇
  1996年   583篇
  1995年   489篇
  1994年   415篇
  1993年   273篇
  1992年   246篇
  1991年   169篇
  1990年   118篇
  1989年   95篇
  1988年   122篇
  1987年   60篇
  1986年   56篇
  1985年   31篇
  1984年   37篇
  1983年   20篇
  1982年   29篇
  1981年   16篇
  1980年   18篇
  1979年   22篇
  1977年   5篇
  1976年   10篇
  1974年   4篇
  1965年   5篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs.  相似文献   
52.
A vacuum-annealed La0.6Ca0.4CoO3−x was consecutively oxygenated in air at temperatures decreasing from 800 to 100 °C, and its electrocatalytic activities for oxygen reduction and evolution were then measured as a function of the oxygenation temperature. The valence of Co cation, changing between +2 and +3, was found susceptible to annealing either in vacuum or air. The catalytic activities initially decrease monotonically as the oxygenation temperature was decreased from 800 to 300 °C, as a result of increasing oxygen content, and then rise abruptly with the oxygen reduction activity reaching a maximum at 200 °C and the oxidation activity at 150 °C. X-ray photoelectron spectroscopy analysis indicated that the enhancements by the low-temperature oxygenation involved increased OH coverage and less charged cations at surface. The results clearly reveal the importance of the post-calcination annealing process for optimizing the performance of La0.6Ca0.4CoO3−x in air electrode applications.  相似文献   
53.
一种微透镜阵列的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨修文  祝生祥  谢红  路素彦 《光电子技术》2003,23(3):170-172,181
介绍一种利用表面张力的作用、以光纤作材料、用分离的自聚焦透镜制作微透镜阵型的方法,这种方法具有制作工艺简单、无须昂贵设备等优点,用此方法实际制作了具有良好连续面型的微透镜阵列,并对制作的微透镜阵列进行了测试,效果较好。  相似文献   
54.
常华  周理  苏伟 《天然气工业》2006,26(8):138-140
理想的脱硫工艺应满足体积小、费用低、净化度高、无二次污染等要求。在碱性溶液吸收微量硫化氢时同步进行电解,可有效减小设备体积,并将硫化氢转变为氢气和硫磺,不产生恶性气味。为此,实验研究了温度、浓度、电流密度、pH值等因素对电解阳极过程的影响,确定了适宜的电解条件,并在该条件下进行了吸收实验。结果表明,在最佳电解条件下,硫化钠溶液能充分吸收天然气中经变压吸附提浓的硫化氢(800 mg/m3),吸收率大于99.9%。  相似文献   
55.
The brightness of AlGaInP light emitting diodes (LEDs) has been raised by a factor of 1.12 at 20 mA by sulfide passivation. Meanwhile, the sulfide also can decrease leakage current of AlGaInP LEDs at -2 V to nearly one thousandth of that in the as-fabricated device. The possible causes for the brightness increase of AlGaInP LEDs after sulfide treatment including surface roughness, reduction of Fresnel loss, and effective injection of carriers were demonstrated.  相似文献   
56.
洼60-H26水平井套铣打捞技术   总被引:3,自引:1,他引:2  
洼60-H26井是一口中曲率水平井,设计井深1 922 m,由于地面条件的限制,设计采用三维井眼轨道。该井水平段在钻至井深1 801 m时,发生卡钻事故。在卡钻事故处理过程中,采用测卡、爆炸松扣技术取出上部钻具后,应用了不同规格的套铣管对被卡钻具进行套铣,采用间歇式套铣方式实现了大斜度井段(45°-90°)的安全套铣,采用短套铣管完成了时水平井段内φ215.0 mm稳定器的套铣,采用φ228.6 mm套铣管成功套铣水平井段被卡LWD仪器,最后通过震击器震击成功解卡。详细介绍了洼60-H26水平井卡钻事故的处理过程,分析了在水平段处理卡钻事故的难点。该井处理卡钻事故的经验,对以后水平井施工中处理井下事故、打捞贵重仪器具有借鉴价值。  相似文献   
57.
本工艺是对原有工艺的改进,突破了原有布帮鞋不能采用无浆贴合的局限性,对原有工艺中的不足有了很大的改进,提高了生产效率,改善了鞋子外观质量,增加了鞋子的美观性。  相似文献   
58.
This paper proposes a method to reduce the vibration of the three-phase HB-type stepping motor with cogging torque by the feedforward compensation control. The compensation signal to suppress the vibration of the motor frame is obtained by the repetitive controller installing an online Fourier transformer and utilizing an acceleration sensor attached to the motor frame or an acoustic sensor such as a microphone placed close to the frame. The sensor is used only for the acquisition of the feedforward compensation data. The feedforward compensation signal at an arbitrary operating point is derived from the amplitude and phase data of the frequency components and the operating point data. Compensation data obtained by the repetitive controller is applied to the operating point changed by reference frequency and load condition in steady state. The compensation signal for the new operating point will be generated from compensation data utilizing polynomial equation approximation and linear interpolation method. The effectiveness of this proposed method is confirmed by the experimental results.  相似文献   
59.
射频板条CO_2激光器并联谐振技术的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用周期性网络模型计算了射频板条CO2激光器电极的纵向电压分布.探讨了并联谐振技术在板条器件中获得成功运用的原因.提出了利用并联谐振技术进一步提高电压分布均匀性的两个途径.  相似文献   
60.
HDPE/PS/HDPE-g-PS合金的相容性和力学性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用自制接枝共聚物GR-Ⅰ、GR-Ⅱ相容剂研究其对HDPE/PS共混物相容性和力学性能的影响。通过SEM、DMA、DSC和力学性能测试表征,表明在HDPE/PS共混中加入这些相容剂其相容性和力学性能有一定提高  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号