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51.
CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 总被引:5,自引:0,他引:5
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 相似文献
52.
53.
在理想化的均匀球面通过进一步地与具有突变边界的均匀各向同性同心球面电离层条件下的LF天波全波解的基础上,考虑由海陆之差引起的地面导电率的变化、大气和低电离层的不均匀性以及由地磁场引起的各向异性特性等因素的影响,推导出了较严格预测实际地与低电离层条件下场强与传播相延精确预测的完善公式。 给出了一些低电离层模式参数的实测结果。这些模式参数为参考高度h0、参考浓度N0与梯度参数α。由罗兰-C天波信号场强与相位的精细测量数据求得的。 相似文献
54.
55.
根据目前含水仪无法远距离传输数据的情况设计出系统硬件,着重指出通过RS485实现数据的远传以及串口通讯设计。 相似文献
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57.
58.
基于Pro/Engineer二次开发的应用系统一旦完成,如果要扩展其功能,一般需要修改该系统代码,并重新进行编译。本文利用Windows初始化文件(INI)设置相关参数,在二次开发的系统中添加新的用户自定义特征(UDF),实现了一种方便而有效地扩展该系统功能的方法。 相似文献
59.
讨论了两流薄板坯连铸连轧作业时铸坯在加热炉内的运动情况。分析了进入出坯段的铸坯的模式选择,进而确定铸坯进入平移段的时机。定义了加热炉综合进坯速度和加热炉平均出坯速度两个概念来讨论铸坯出坯的两种方案,并提出最小铸坯长度和最大加热炉综合进坯速度的计算公式。 相似文献
60.