On the Feasibility of Growing Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3 Single Crystals

Pb[(Zn_1/3Nb_2/3)_0.91Ti_0.09]O₃ (PZNT91/9) single crystals were grown by two methods: from solution using PbO as a self‐fluxing agent (SC method) and directly from the melt without fluxing (MC method). In both growth methods, an allomeric Pb[(Mg_1/3‐Nb_2/3)_0.69Ti_0.31]O₃ (PMNT69/31) single crystal was used as a seed. X‐ray diffraction patterns of ground crystals showed that phase‐pure perovskite PZNT91/9 single crystals were successfully fabricated by the above two methods. The composition of the crystals obtained by both the SC and MC methods was analyzed using X‐ray fluorescence, which confirmed that the crystal composition is close to the nominal value, although volatilization of PbO and segregation during crystal growth are inevitable. The MC PZNT91/9 crystals exhibit excellent piezoelectric properties, with the piezoelectric constant, d₃₃, in the range of 1800–2200 pC N^–1. This value is comparable to that of the SC crystals. However, the MC crystals show an abnormal dielectric behavior. In contrast with the SC crystals, in the MC crystals a much broader dielectric peak appears in the dielectric response curves, accompanied by a much lower peak temperature of around 105 °C. Furthermore, frequency dispersion is apparent over a much wider temperature range (even more apparent than in pure relaxors), where a large, i.e., about 70 °C, full width at half maximum (FWHM) for the dielectric peaks is observed in the dielectric response. It is speculated that such an unusual phenomenon correlates with defects, microinhomogeneities, and polar regions in the as‐grown MC crystals. The origins of this abnormality have not been interpreted in detail until now. However, optical observation of the domain structure confirms that both the SC and MC crystals possess complex structural states.     

一种PD雷达动目标模拟与微波测控系统

介绍了一种基于PC／104总线，具有GPIB程控功能，采用无内部微波源体制，通过在雷达载频上调制多普勒频率模型目标速度信息，延迟雷达发射机触发脉冲模拟目标距离信息并具有微波功率精确定标与衰减功能的PD雷达动目标模拟与微波测控系统。     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

泌阳凹陷复杂断块群油气分布控制因素

泌阳凹陷北部斜坡复杂断块群油田以断鼻、断块及断层+岩性油气藏为主,垂向含油层系多,平面上叠合连片,油气主要富集在鼻状构造主体部位的断鼻断块内。通过对研究区油气控制因素的分析,指出继承性的鼻状构造控制了油气聚集方向和富集程度,油气藏含油范围和油气藏高度则主要受断层封闭性和封闭程度的控制,油气分布规律受伸展构造所伴生的各种断块群构造型式的控制。     

复合材料空心飞轮多环套装整体变形及应力简化精细分析

采用多环过盈装配是解决复合材料飞轮径向强度过低的有效途径之一。本文作者采用平面应力简化模型,提出了计及过盈配合后变形导致实际过盈量增大计算飞轮套装后的初终应力分布的方法;提出了基于叠加原理计算多环过盈装配旋转飞轮应力的方法;提出了保证飞轮旋转时配合界面不脱离的相关临界转速的概念和计算方法。算例分析表明:过盈配合后的变形对初终应力的影响不能忽略;过盈量和套装环数与飞轮的初终应力和相关临界转速有密切的关系。     

微流控分析芯片制作中的低温键合技术

微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础。制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要。本文针对近年来发展迅速的低温键合技术,对各种方法进行了评价,并对其发展前景进行了展望。     

草酸钙在硫酸软骨素自组装膜上周期沉淀的研究

利用硫酸软骨素(chondroitin sulfate，CS)在云母基底上通过浇铸法制备的自组装膜为基底，诱导草酸钙在其上的凝集生长。发现当硫酸软骨素的浓度为1．Omg／ml时在该膜体系中可形成规整的周期性草酸钙环状沉淀。这种有序的环状结构可能是耗散结构的一种具体表现形式。利用原子力显微镜(atomic forcemicroscope，AFM)和傅立叶红外光谱仪对这种结构进行了表征，实验结果显示合适浓度下形成的CS膜在一定程度上可以抑制草酸钙的凝集结晶，表明高分子基质与无机离子间强烈的相互作用对无机盐的成核结晶有显著影响，为探讨结石的形成与抑制提供了一定的实验依据。     

活化疏松剂用于过磷酸钙生产的性能研究

介绍了在过磷酸钙中添加活化疏松剂的试验情况及运用效果。试验结果表明 :添加活化疏松剂后鲜肥转化率提高 4.0 % ,产品物性得到改善 ,结块倾向明显降低。     

21~28GHz波段平衡式放大器

采用OMM IC的0.2μm PHEM T工艺设计了工作在21~28 GH z的平衡式放大器。正交耦合电桥采用兰格电桥。兰格电桥和平衡式放大器的在片测试结果和仿真结果基本吻合,平衡式放大器在21~28 GH z的增益为18~20 dB,输入和输出回波损耗小于-20 dB,在26 GH z处的输出1 dB压缩点功率为21 dBm。     

一种基于小波逼近的稳定直接自适应控制算法

针对一类未知不稳定非线性系统,基于小波逼近理论,提出了一种直接自适应控制 算法,并由Lyapnov理论证明了整个控制闭环系统的稳定性.