基于光纤环的光缓存器

提出了一种基于光纤环的光缓存器的结构,对结合半导体光放大器作光开关的此结构的物理模型进行了详细描述,并根据此模型分析了其增益、噪声、信噪比等方面的特性.     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

量子密码技术开辟通信安全新时代

量子密码技术被认为是绝对安全的加密技术。近年来,在美国、德国、日本和中国,相关研究都取得了明显进展。2004年6月,世界上第一个量子密码通信网络在美国马萨诸塞州剑桥城正式投入运行,标志着这一技术迈上了新台阶。据相关机构估算,量子保密通信系统一旦商用,将形成高达10亿美元的市场。     

蓝牙与IEEE802.11g系统的共存

蓝牙与IEEE802.11g无线局域网(Wireless Local Area Network,WLAN)都工作在2.4GHz频段上,因此它们之间存在一定的干扰。分析了蓝牙与IEEE802.11g通信系统之间的干扰,并提出了解决这一问题的两种方法:自适应跳频和删除标记法,并对两种方法的性能做了比较。     

Belief-Propagation-Approximated Decoding of Low-Density Parity-Check Codes

In this paper, we propose a new reduced-complexity decoding algorithm of Low-Density Parity-Check (LDPC) codes, called Belief-Propagation-Approximated (BPA) algorithm, which utilizes the idea of normalization and translates approximately the intricate nonlinear operation in the check nodes of the original BP algorithm to only one operation of looking up the table. The normalization factors can be obtained by simulation, or theoretically. Simulation results demonstrate that BPA algorithm exhibits fairly satisfactory bit error performance on the Additive White Gaussian Noise (AWGN) channel.     

双基STAP雷达杂波非平稳特性消除的新方法

在单基侧视机载或星载雷达系统中,空时自适应处理是一种成熟可行的慢速移动目标检测方法。在双基雷达系统中,由于杂波的非平稳特性,空时自适应处理无法获得理想的性能。为了揭示双基雷达杂波的非平稳特性,文中推导出了方位-多普勒曲线,研究了一种基于AD曲线配准的杂波非平稳特性的消除方法,给出了此种方法的处理步骤和性能分析。通过仿真发现,该方法处理算法不太复杂且性能优良。     

对译码器引爆能力的技术改进

文章提出了几种改进译码器引爆能力的方案，详细介绍了这几种方案的优缺点及实施的方法，为多井组合激发勘探提供了技术保证。     

基于OpenGL的包装纸盒设计的三维实现

提出了基于OpenGL技术的一种由面模型构造三维盒体的方法,以多边形组成一个面、以面为基本单元构造纸盒,并将其应用于三维包装纸盒设计系统的开发中,该系统不仅实现了纸盒结构的二维平面设计,而且能够仿真三维盒型,并采用贴图技术看到装潢设计的立体效果。     

网络管理中事件关联检测机制的研究

网络事件的关联检测是网络管理需要解决的一个关键问题,本文根据分布式网络管理的特点,首次明确定义了网络事件的基本关联关系,在此基础上提出了一种基于Petri Net的事件关联检测机制,实现了基于事件内容的细粒度关联检测,并且在事件检测中充分考虑了时间因素,有效地提高了事件关联检测的准确性。     

多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。