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991.
地面机动目标的红外伪装技术探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
利用红外热像仪对行驶中车辆的红外特征进行了实验测试和研究,在对传统红外伪装
技术分析的基础上,探讨了机动目标红外伪装的难点,提出了针对重要地面机动目标的新型红外伪装技术,并介绍了实验测试方法。 相似文献
992.
针对目前胜利油田部分稠油热采井井场出现难闻的恶臭气味,影响周围人员健康和稠油资源开发的问题,分析确定了恶臭气味主要成分为甲硫醇和乙硫醇。结合油井生产特点,研制了两种分别适于地面管线加药处理和井筒加药处理的恶臭气味处理剂,并考察了处理剂的硫容和脱硫反应速率。针对某恶臭气味热采井,对比开展了地面管线加药和井筒加药处理试验,井筒加药处理显示了较好的经济性。对胜利油田某区块7口井开展现场处理,将恶臭气体质量浓度由150~3300 mg/m~3降至20 mg/m~3以下,达到了油井安全生产要求。 相似文献
993.
对中国石油四川石化公司采用GARDES技术新建110万t/a催化裂化(FCC)汽油加氢装置的开工和初期标定期间的运行情况进行了分析。结果表明:采用GARDES技术进行FCC汽油加氢处理之后,与原料FCC汽油相比,精制汽油中含硫量由60~80μg/g降至6~8μg/g,总硫脱除率达到88%~90%;精制汽油产品中烯烃体积分数为22%~23%,降低约6~7个百分点;芳烃体积分数为20%~22%,增加约2. 0个百分点;研究法辛烷值损失小于1. 0个单位。 相似文献
994.
995.
996.
对暂降扰动进行精准类型识别是电能质量评估和治理的前提。现有暂降特征提取多是对单一扰动数据进行识别分类,采用数学变换法进行特征提取时数据维数高且计算量大。针对这些问题,提出了一种基于三相电压空间相量模型的多级暂降扰动可视化特征提取及分类方法。首先,将三相电压时域波形数据转换为空间相量模型;其次,使用 K-mean算法,将电压降落扰动聚类成平面内可视化的圆或椭圆;最后,利用逻辑回归算法对每一个聚类的圆或椭圆进行特征提取与分类。应用所提方法分别进行了单一扰动和多级扰动识别的仿真实验,结果表明,所提方法能有效识别A、Ca、Cb、Cc、Da、Db和Dc等七类电压暂降扰动。该方法降低了数据维度,减少了模型计算量,避免了对动态过渡过程的检测,降低了错误识别的风险,为多级电压暂降扰动的识别与分类提供了一种有效的辅助手段。 相似文献
997.
C. Yuan T. Salagaj W. Kroll R. A. Stall M. Schurman C. Y. Hwang Y. Li W. E. Mayo Y. Lu S. Krishnankutty R. M. Kolbas 《Journal of Electronic Materials》1996,25(5):749-753
High quality InGaN thin films and InGaN/GaN double heterojunction (DH) structures have been epitaxially grown on c-sapphire
substrates by MOCVD in a production scale multi-wafer-rotating-disc reactor between 770 to 840°C. We observed that shroud
flow (majority carrier gas in the reaction chamber) is the key to obtaining high quality InGaN thin films. High purity H2 as the shroud flow results in poor crystal quality and surface morphology but strong photolumines-cence (PL) at room temperature.
However, pure N2 as the shroud flow results in high crystal quality InGaN with an x-ray full width at half maximum (FWHM)InGaN(0002) of 7.5 min and a strong room temperature PL peaking at 400 nm. In addition, InGaN/GaN single heterojunction (SH) and DH structures
both have excellent surface morphology and sharp interfaces. The full width at half maximum of PL at 300K from an InGaN/GaN
DH structure is about 100 meV which is the best reported to date. A high indium mole fraction in InGaN of 60% and high quality
zinc doped InGaN depositions were also achieved. 相似文献
998.
999.
数值模拟舰船排气引射装置的红外特性 总被引:1,自引:1,他引:1
采用к-з两方程模型和壁面函数法数值模拟舰船排气系统红外抑制装置缩比模型的湍流场和温度场分布。经实验校模后利用自模化原理半数值模拟方法推广到实物装置上去。在建立了观察点与装置有关区域之间看视关系后,利用Hottel的区域法就可计算获得装置的红外辐射场分布。 相似文献
1000.
GaN材料系列的研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
GaN及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质,在光电子器件,高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景,已成为当前高科技领域的研究重点,论述了这种材料的研究历史与发展现状,物理与化学性质,薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。 相似文献