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81.
为研究抛物面型反光杯用于LED光源准直时的特点,基于TracePro仿真了LED光源在不同尺寸反光杯下的有效射程和光斑直径,分析了反光杯和LED尺寸对射程和光斑直径的影响。仿真结果表明:射程与反光杯的口径和深度都有关系。高度相同时,反光杯口径越大,射程越大;口径相同时,射程随反光杯高度增加先增大后减小。LED光源经反光杯准直,较短距离的光斑中心光强很低,形成光环。LED光源面积直接影响目标面光斑的大小,对射程影响较小。  相似文献   
82.
主给水泵作为核电厂二回路重要供水设备,其控制的可靠性对核电厂的安全稳定运行极为重要,对秦山第二核电厂3、4号机组主给水泵控制系统可靠性进行了研究,从电源、备用逻辑、单一敏感设备缓解等方面逐一梳理,提出改进性建议,以提高设备运行的可靠性,降低主给水泵控制设备失效对机组安全的不良影响,增强故障发生后系统的自动恢复能力,以备同类电厂设计调试参考.  相似文献   
83.
介绍某核电厂循环水系统循环水泵反转监测系统的测量原理、系统组成,分析反转监测系统的安装、调试经验及运行过程中出现的问题,探讨反转监测系统及其相关控制逻辑的改进,使反转监测系统与现场设备的实际工艺状态相匹配,以便进一步对其进行优化.  相似文献   
84.
储能对电能应用具有时序调节的作用,且储能技术在逐步完善,其应用场景也逐渐多元。在“风光水火储一体化”和“源网荷储一体化”(“两个一体化”)下,储能的灵活调节作用将得到更充分的发挥,储能有望迎来更广阔的发展空间。本文先对新能源领域相关政策以及“两个一体化”的建设规划概况进行梳理,然后分析了“两个一体化”下储能的灵活性以及经济性,研究了“两个一体化”下的储能规划,探究了“两个一体化”的商业化应用,提出了应因地制宜配置储能设施,储能收益多元,完善储能商业模式等建议,对今后储能的走向具有一定参考意义。  相似文献   
85.
碳化硅(SiC)器件耐高频高温、散热性能好、导通电阻小,应用于无线充电系统可有效提高无线充电系统的效率。文中首先对比了SiC材料与Si材料的特性,在此基础上研制了一套基于SiC器件的无线充电系统电源装置。该装置由整流模块和逆变模块构成,输入端接市电,且装置的整流模块具有功率因数校正功能。文中详细给出了整流模块的整流桥选型策略、滤波电路参数设计方法、Boost电路功率器件和无源元件设计原则及开关管控制电路设计方法,还给出了逆变模块的开关管选型策略、开关管驱动电路和开关管保护电路的设计方法。最后,实验结果验证了方案的有效性和可行性,输入侧实现了高功率因数,逆变电路开关管电压振荡得到抑制,实验样机的效率峰值可达98.2%。  相似文献   
86.
1 INTRODUCTIONThankstoitslowresistivityandhighelectromi grationresistance ,copperappearstobeaverypromisingsubstituteforaluminumininterconnec tions[1] .However ,copperisverydifficulttopattern ,andonlychemical mechanicalpolishing (CMP)tech nologycanresolvethisproblem[2 ] .CMPwasinitiallyinvestigatedandopenedoutfrom 1980soverseas[3] ,anditisthebestandonlyglobalplanarizationtech nologyatpresent ,butkeepsholdofbusinesssecretsallthetime .Fayolleetal[2 ] researchedCMPprocessofcopperwhereFe(…  相似文献   
87.
88.
为提高石料破碎机锤头的使用寿命,经过多次试验摸索和现场工业性试验,成功研制出价廉物美的低合金钢锤头。结合锤头含碳量较低、合金元素少的特点,对其进行阶段式复合热处理。热处理后锤头头部工作表面硬度50~55HRC,柄部硬度33~42HRC,使用寿命为锻打钢锤头的3~4倍。  相似文献   
89.
机床液压系统故障树分析   总被引:13,自引:3,他引:13  
张龙  熊国良  何柏林  李嶷 《机床与液压》2005,(2):170-171,185
应用故障树分析法对某厂一台机床液压系统的典型故障进行了故障树分析,取得了满意的结果。实践证明,将故障树分析法应用于机床液压系统故障诊断中是非常有效的。  相似文献   
90.
宫波  王中光 《金属学报》1994,30(10):A439-A447
用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向([034],[117])Cu单晶循环饱和后的表面形貌,塑性分切应变幅(γpl)低于10^(-3)时,[034]晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带(PSBs)占据,次滑移只在边缘区域启动,其PSBs细窄(<1μm),体积百分数在1%以下.γpl>10^(-3)时,次滑移开始在试样的中部启动,同时,表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带(DBI,DBII),滑移带在形变带内集中.[117]晶体在γpl=4.4×10^(-4)时,双滑移现象已十分明显.γpl>10^(-3)时,表面也形成与前者相似的形变带.DBI的惯习面与主滑移面平行([034]晶体)或接近([117]晶体),DBII的惯习面则与前者垂直,文章讨论了形变带形成的可能原因.  相似文献   
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